[實用新型]二氧化鈦—二氧化硅光觸媒薄膜的結構有效
| 申請號： | 201320467768.0 | 申請日： | 2013-08-01 |
| 公開（公告）號： | CN203620645U | 公開（公告）日： | 2014-06-04 |
| 發明（設計）人： | 林郁文 | 申請（專利權）人： | 京程科技股份有限公司 |
| 主分類號： | B01J21/08 | 分類號： | B01J21/08;B01J35/02 |
| 代理公司： | 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006 | 代理人： | 梁揮;常大軍 |
| 地址： | 中國臺灣桃園縣龜山*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 氧化 二氧化硅 觸媒 薄膜 結構 | ||
【權利要求書】：
1.一種以二氧化鈦—二氧化硅光觸媒薄膜的結構，其特征在于，此二氧化鈦—二氧化硅薄膜厚度為0.5毫米至1毫米之間，二氧化鈦—二氧化硅光觸媒薄膜的結構，其是有納米級二氧化鈦—二氧化硅固體顆粒均勻混合承載在載體上，二氧化鈦為橢圓球形顆粒，具有銳鈦礦結構，此載體為玻璃或透明的塑膠物質。?
2.根據權利要求1所述的光觸媒薄膜的結構，其特征在于，二氧化硅為圓球形，其直徑為20到30納米之間，此橢圓球形的長軸為10至15納米，短軸為3至6納米。?
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