[實用新型]靜電放電檢測電路及處理系統(tǒng)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201320465621.8
• 申請日: 2013-07-31
• 公開（公告）號: CN203396864U
• 公開（公告）日: 2014-01-15
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 俞大立;陳鑫雙;趙德林;李麗;王富中
• 申請（專利權(quán)）人: 格科微電子（上海）有限公司
• 主分類號: G01R31/00
• 分類號: G01R31/00
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 吳靖靚;駱蘇華

技術(shù)領(lǐng)域

本實用新型涉及靜電放電技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種靜電放電檢測電路及處理系統(tǒng)。

背景技術(shù)

靜電放電（ESD，Electro-Static?Discharge）是造成大多數(shù)電子組件或電子系統(tǒng)受到過度電性應(yīng)力破壞的主要因素，這種破壞會導致半導體器件永久性的損壞，從而導致集成電路功能的失效。而對于系統(tǒng)級芯片，芯片內(nèi)部電源線上由靜電放電產(chǎn)生的靜電電壓比發(fā)生靜電放電位置的靜電電壓要小得多，靜電放電引起的芯片失效是邏輯電路運行狀態(tài)紊亂，而不是直接破壞內(nèi)部器件。因此，通常采用靜電放電檢測電路來檢測系統(tǒng)級芯片的靜電放電，并輸出檢測信號，通過靜電放電處理系統(tǒng)根據(jù)檢測電路輸出的檢測信號對靜電放電事件進行處理。

圖1是現(xiàn)有的一種靜電放電檢測電路的電路圖。參考圖1，所述靜電放電檢測電路包括二極管組11和電阻R。所述二極管組11包括多個串聯(lián)的二極管，第一個二極管D1的陰極適于連接第一電源線Vdd，最后一個二極管Dn的陽極連接所述電阻R的第一端；所述電阻R的第二端適于連接第二電源線Vss，所述第二電源線Vss提供的電壓低于所述第一電源線Vdd提供的電壓。所述電阻R的第一端作為所述靜電放電檢測電路的輸出端，適于輸出檢測信號V1。

當所述第一電源線Vdd上發(fā)生靜電放電時，所述二極管組11中的所有二極管被擊穿，有電流經(jīng)過所述電阻R，使所述檢測信號V1由低電平信號切換為高電平信號。

然而，只有在所述第一電源線Vdd上發(fā)生靜電放電產(chǎn)生的靜電電壓大于所述二極管組11中所有二極管的擊穿電壓之和時，才能將所述二極管組11中的所有二極管擊穿，輸出高電平的檢測信號V1。因此，所述靜電放電檢測電路不能檢測較小的靜電電壓，檢測范圍較窄。

更多關(guān)于靜電放電檢測的技術(shù)方案可以參考公開號為CN101650394A、發(fā)明名稱為“靜電放電檢測裝置”的中國專利申請文件。

實用新型內(nèi)容

本實用新型解決的是現(xiàn)有的靜電放電檢測電路檢測范圍窄的問題。

為解決上述問題，本實用新型提供一種靜電放電檢測電路，所述靜電放電檢測電路包括：與第一電源線和提供的電壓低于所述第一電源線提供的電壓的第二電源線連接、適于采樣所述第一電源線和第二電源線上的電壓以輸出控制電壓的采樣單元；與所述采樣單元連接、適于在所述控制電壓大于放大器單元的閾值電壓時輸出檢測信號為第一檢測信號并在所述控制電壓小于放大器單元的閾值電壓時輸出檢測信號為第二檢測信號的放大器單元；與所述放大器單元連接、適于調(diào)節(jié)所述放大器單元的閾值電壓的電壓調(diào)節(jié)單元。

可選的，所述放大器單元包括柵極相連的第一PMOS管和第一NMOS管；所述第一PMOS管的柵極為所述放大器單元接收所述控制電壓的輸入端，所述第一PMOS管的漏極與所述第一NMOS管的漏極連接并作為所述放大器單元輸出所述檢測信號的輸出端。

可選的，所述電壓調(diào)節(jié)單元包括由至少一個PMOS管構(gòu)成的PMOS管組，所述PMOS管組中的PMOS管成串聯(lián)結(jié)構(gòu)，每個PMOS管的柵極與各自的漏極連接，所述PMOS管組的一端為所述電壓調(diào)節(jié)單元輸入第一電源電壓的第一輸入端，所述PMOS管組的另一端連接所述第一PMOS管的源極。

可選的，所述電壓調(diào)節(jié)單元包括由至少一個NMOS管構(gòu)成的NMOS管組，所述NMOS管組中的NMOS管成串聯(lián)結(jié)構(gòu)，每個NMOS管的柵極與各自的漏極連接，所述NMOS管組的一端為所述電壓調(diào)節(jié)單元輸入第二電源電壓的第二輸入端，所述NMOS管組的另一端連接所述第一NMOS管的源極。

可選的，所述電壓調(diào)節(jié)單元包括由至少一個PMOS管構(gòu)成的PMOS管組和由至少一個NMOS管構(gòu)成的NMOS管組；所述PMOS管組中的PMOS管成串聯(lián)結(jié)構(gòu)，每個PMOS管的柵極與各自的漏極連接，所述PMOS管組的一端為所述電壓調(diào)節(jié)單元輸入第一電源電壓的第一輸入端，所述PMOS管組的另一端連接所述第一PMOS管的源極；所述NMOS管組中的NMOS管成串聯(lián)結(jié)構(gòu)，每個NMOS管的柵極與各自的漏極連接，所述NMOS管組的一端為所述電壓調(diào)節(jié)單元輸入低于所述第一電源電壓的第二電源電壓的第二輸入端，所述NMOS管組的另一端連接所述NMOS管的源極；。

可選的，所述采樣單元包括連接于所述第一電源線和所述第二電源線之間串聯(lián)的第一阻抗元件和第一容抗元件，所述第一阻抗元件和所述第一容抗元件的連接端作為所述采樣單元輸出所述控制電壓的輸出端。