[實用新型]嵌有FP腔的MZ干涉式光學生化傳感芯片

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201320464041.7
• 申請日: 2013-07-31
• 公開（公告）號: CN203385663U
• 公開（公告）日: 2014-01-08
• 發(fā)明（設計）人: 王卓然;袁國慧;高亮
• 申請（專利權）人: 電子科技大學
• 主分類號: G01N21/45
• 分類號: G01N21/45
• 代理公司: 成都宏順專利代理事務所(普通合伙) 51227
• 代理人: 周永宏

1.嵌有FP腔的MZ干涉式光學生化傳感芯片，包括自下而上依次層疊鍵合的硅基層、二氧化硅層和單晶硅層構成的SOI基體，其特征在于，所述SOI基體的單晶硅層包含MZ干涉單元，所述MZ干涉單元包括兩段光波導，在其中一段光波導上包含有光柵FP腔，所述MZ干涉單元與光柵FP腔具有不相同的自由光譜范圍，二者光學耦合連接。

2.根據權利要求1所述的光學生化傳感芯片，其特征在于，組成MZ干涉單元的兩段光波導具有相同的結構。

3.根據權利要求1所述的光學生化傳感芯片，其特征在于，組成MZ干涉單元的光波導還包括輸入直波導、第一耦合區(qū)波導、半跑道形波導和第二耦合區(qū)波導，兩段組成MZ干涉單元的光波導組成中心對稱結構，其中第一段波導的第一耦合區(qū)波導與第二段波導的第二耦合區(qū)波導耦合連接，第一段波導的第二耦合區(qū)波導與第二段波導的第一耦合區(qū)波導耦合連接，兩段光波導耦合形成跑道形結構。

4.根據權利要求1所述的光學生化傳感芯片，其特征在于，所述光柵FP腔被刻蝕在組成MZ干涉單元的兩段光波導之一的半跑道形波導上，與MZ干涉單元形成耦合。

5.根據權利要求1-4之任一項權利要求所述的光學生化傳感芯片，其特征在于，所述光柵FP腔包括第一光柵和第二光柵，第一光柵和第二光柵相隔一定的距離d，且第一光柵和第二光柵具有相同的結構。

6.根據權利要求5所述的光學生化傳感芯片，其特征在于，第一光柵或第二光柵包括不少于5個且不多于30個周期單元。

7.根據權利要求5所述的光學生化傳感芯片，其特征在于，所述光柵周期單元的周期為0.3um～0.7um之任一值。

8.根據權利要求5所述的光學生化傳感芯片，其特征在于，所述光柵周期單元的占空比為30%～80%之任一值。

9.根據權利要求8所述的光學生化傳感芯片，其特征在于，光柵周期單元中被刻蝕槽的深度為單晶硅層厚度的50%～100%。