[實用新型]陣列基板和顯示裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201320459793.4 | 申請日: | 2013-07-30 |
| 公開(公告)號: | CN203690307U | 公開(公告)日: | 2014-07-02 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 閆梁臣 | 申請(專利權(quán))人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L29/786 | 分類號: | H01L29/786;H01L27/12 |
| 代理公司: | 北京銀龍知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11243 | 代理人: | 許靜;黃燦 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 陣列 顯示裝置 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本實用新型涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種陣列基板和顯示裝置。
背景技術(shù)
隨著科技的不斷進步,用戶對液晶顯示設(shè)備的需求日益增加,TFT-LCD(Thin?Film?Transistor-Liquid?Crystal?Display,薄膜場效應(yīng)晶體管液晶顯示器)也成為了手機、平板電腦等產(chǎn)品中使用的主流顯示器。
TFT的性能決定了液晶顯示器的顯示品質(zhì),圖1為現(xiàn)有TFT陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖,如圖1所示,現(xiàn)有TFT陣列基板一般依次包括有襯底基板1、柵電極和柵線11、柵絕緣層5、有源層6、刻蝕阻擋層7、源電極和漏電極8、鈍化層9和像素電極10。為了提高柵電極和柵線的導(dǎo)電性能,一般采用Cu來制備柵電極和柵線,但是在采用Cu制備柵電極和柵線之后,柵電極和柵線中的Cu原子容易發(fā)生擴散,并且由于柵絕緣層的致密性不是很好,Cu原子會通過柵絕緣層進入到有源層中,增大有源層的導(dǎo)電性,將會嚴重影響TFT的性能,導(dǎo)致顯示器不能正常顯示。
實用新型內(nèi)容
本實用新型要解決的技術(shù)問題是提供一種陣列基板和顯示裝置,能夠避免柵電極和柵線中的金屬原子在陣列基板中發(fā)生擴散。
為解決上述技術(shù)問題,本實用新型的實施例提供技術(shù)方案如下:
一方面,提供一種陣列基板,其特征在于,所述陣列基板的柵電極和柵線的外部包覆有金屬氧化物薄膜。
進一步地,上述方案中,所述柵電極和柵線的材質(zhì)為銅,所述金屬氧化物薄膜為氧化鎂、氧化鉻、氧化鉿、氧化鈣、氧化鋁中的一種。
進一步地,上述方案中,所述陣列基板具體包括:
襯底基板;
所述襯底基板上的外部包覆有金屬氧化物薄膜的所述柵電極和所述柵線;
所述柵電極和所述柵線上的柵絕緣層;
所述柵絕緣層上的有源層;
所述有源層上的刻蝕阻擋層;
所述刻蝕阻擋層上的由所述源漏金屬層組成的漏電極、源電極和數(shù)據(jù)線;
所述漏電極、所述源電極和所述數(shù)據(jù)線上的鈍化層,所述鈍化層包括有對應(yīng)所述漏電極的過孔;
所述鈍化層上的像素電極,所述像素電極通過所述過孔與所述漏電極電連接。
本實用新型實施例還提供了一種顯示裝置,包括如上所述的陣列基板。
本實用新型的實施例具有以下有益效果:
上述方案中,陣列基板的柵電極和柵線的外部包覆有金屬氧化物薄膜,能夠有效阻擋柵電極和柵線中的金屬原子擴散到陣列基板的其他區(qū)域,從而不會影響TFT的性能,保證了顯示器的正常顯示。
附圖說明
圖1為現(xiàn)有技術(shù)中TFT陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖2為本實用新型實施例在陣列基板上形成柵電極和柵線后的截面示意圖;
圖3為本實用新型實施例在陣列基板上對形成柵電極和柵線進行退火后的截面示意圖;
圖4為本實用新型實施例在陣列基板上形成柵絕緣層后的截面示意圖;
圖5為本實用新型實施例在陣列基板上形成有源層的圖形后的截面示意圖;
圖6為本實用新型實施例在陣列基板上形成刻蝕阻擋層的圖形后的截面示意圖;
圖7為本實用新型實施例在陣列基板上形成源漏金屬層后的截面示意圖;
圖8為本實用新型實施例在陣列基板上形成源電極、漏電極和數(shù)據(jù)線后的截面示意圖;
圖9為本實用新型實施例在陣列基板上形成鈍化層的圖形后的截面示意圖;
圖10為本實用新型實施例在陣列基板上形成像素電極后的截面示意圖。
附圖標記
1襯底基板????????2柵金屬層????3金屬導(dǎo)電部分
4金屬氧化物薄膜??5柵絕緣層????6有源層
7刻蝕阻擋層??????8源漏金屬層??9鈍化層
10像素電極
具體實施方式
為使本實用新型的實施例要解決的技術(shù)問題、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚,下面將結(jié)合附圖及具體實施例進行詳細描述。
本實用新型的實施例針對現(xiàn)有技術(shù)中柵電極和柵線中的Cu原子容易發(fā)生擴散,通過柵絕緣層進入到有源層中,增大有源層的導(dǎo)電性,嚴重影響TFT的性能,導(dǎo)致顯示器不能正常顯示的問題,提供一種陣列基板和顯示裝置,能夠避免柵電極和柵線中的金屬原子在陣列基板中發(fā)生擴散。
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H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的





