[實用新型]單層多點式觸控屏及其單層多點式導電膜

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201320459694.6
• 申請日: 2013-07-30
• 公開（公告）號: CN203366283U
• 公開（公告）日: 2013-12-25
• 發(fā)明（設計）人: 楊廣舟;孫超
• 申請（專利權）人: 南昌歐菲光科技有限公司;深圳歐菲光科技股份有限公司;蘇州歐菲光科技有限公司
• 主分類號: G06F3/041
• 分類號: G06F3/041
• 代理公司: 廣州華進聯(lián)合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 鄧云鵬

1.一種單層多點式導電膜，其特征在于，包括：

透明基底，包括本體及由所述本體的一側(cè)延伸形成的至少一撓性連接部，所述撓性連接部的寬度小于所述本體延伸有所述撓性連接部的一側(cè)的寬度，所述撓性連接部設置有導通線路，所述本體上設有感應區(qū)及位于所述感應區(qū)邊緣的邊框區(qū)；

第一導電層，呈網(wǎng)格狀，設置于所述感應區(qū)，所述第一導電層包括相互交叉的第一導電絲線，所述感應區(qū)開設有網(wǎng)格凹槽，所述第一導電層收容于所述網(wǎng)格凹槽，所述第一導電絲線為非透明導電絲線；

絕緣層，位于第一導電絲線上方且嵌設于所述網(wǎng)格凹槽中；

第二導電層，呈網(wǎng)格狀，設置于所述透明基底的感應區(qū)，并與所述第一導電層通過所述絕緣層隔開，所述第二導電層包括相互交叉的第二導電絲線，所述第二導電絲線為非透明導電絲線；

第一引線電極，設置于所述邊框區(qū)，所述第一引線電極與所述第一導電層電連接，所述導通線路通過所述第一引線電極與所述第一導電層電連接；及

第二引線電極，設置于所述邊框區(qū)，所述第二引線電極與所述第二導電層電連接，所述導通線路通過所述第二引線電極與所述第二導電層電連接；

其中，所述第一導電層及所述第二導電層的網(wǎng)格中其中一層的網(wǎng)格為規(guī)則網(wǎng)格，另一層的網(wǎng)格為隨機網(wǎng)格。

2.如權利要求1所述的單層多點式導電膜，其特征在于，還包括基質(zhì)層，所述基質(zhì)層設于所述透明基底表面，所述感應區(qū)及所述邊框區(qū)設于所述基質(zhì)層遠離透明基底的一側(cè)，所述第一導電層及所述第二導電層均設置于所述基質(zhì)層的感應區(qū)。

3.如權利要求1所述的單層多點式導電膜，其特征在于，所述第一引線電極及所述第二引線電極為線條狀。

4.如權利要求3所述的單層多點式導電膜，其特征在于，所述第一引線電極包括相互交叉的第一導電引線，所述第二引線電極包括相互交叉的第二導電引線。

5.如權利要求1所述的單層多點式導電膜，其特征在于，所述第一引線電極位于所述邊框區(qū)的表面，或所述邊框區(qū)上開設第一凹槽，所述第一引線收容于開設于所述第一凹槽中。

6.如權利要求5所述的單層多點式導電膜，其特征在于，所述第二引線電極位于所述邊框區(qū)的表面，或所述邊框區(qū)上開設第二凹槽，所述第二引線收容于開設于所述第二凹槽中。

7.如權利要求1所述的單層多點式導電膜，其特征在于，所述網(wǎng)格凹槽的寬度為d1，深度為h，其中，1μm≤d1≤5μm，2μm≤h≤6μm，h/d1＞1。

8.如權利要求1所述的單層多點式導電膜，其特征在于，所述網(wǎng)格凹槽為底部為“V”字形、“W”字形、弧形或波浪形的微型槽。

9.如權利要求8所述的單層多點式導電膜，其特征在于，所述微型槽的深度為500nm～1μm。

10.如權利要求1所述的單層多點式導電膜，其特征在于，還包括覆蓋所述第二導電層表面的透明保護層。

11.一種單層多點式觸控屏，包括覆蓋板、單層多點式導電膜及顯示模組，其特征在于，所述單層多點式導電膜為如權利要求1～10任一項所述的單層多點式導電膜。