[實用新型]單層多點式觸控屏及其單層多點式導(dǎo)電膜有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201320459479.6 | 申請日: | 2013-07-30 |
| 公開(公告)號: | CN203386170U | 公開(公告)日: | 2014-01-08 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 楊廣舟;孫超 | 申請(專利權(quán))人: | 南昌歐菲光科技有限公司;深圳歐菲光科技股份有限公司;蘇州歐菲光科技有限公司 |
| 主分類號: | G06F3/041 | 分類號: | G06F3/041 |
| 代理公司: | 廣州華進聯(lián)合專利商標代理有限公司 44224 | 代理人: | 鄧云鵬 |
| 地址: | 330000 江西省*** | 國省代碼: | 江西;36 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 單層 多點 式觸控屏 及其 導(dǎo)電 | ||
1.一種單層多點式導(dǎo)電膜,其特征在于,包括:
透明基底,包括本體及由所述本體的一側(cè)延伸形成的至少一撓性連接部,所述撓性連接部的寬度小于所述本體延伸有所述撓性連接部的一側(cè)的寬度,所述撓性連接部設(shè)置有導(dǎo)通線路,所述本體上設(shè)有感應(yīng)區(qū)及位于所述感應(yīng)區(qū)邊緣的邊框區(qū);
第一導(dǎo)電層,呈網(wǎng)格狀,設(shè)置于所述感應(yīng)區(qū),所述第一導(dǎo)電層包括相互交叉的第一導(dǎo)電絲線,所述感應(yīng)區(qū)開設(shè)有網(wǎng)格凹槽,所述第一導(dǎo)電層收容于所述網(wǎng)格凹槽;
絕緣層,位于第一導(dǎo)電絲線上方且嵌設(shè)于所述網(wǎng)格凹槽中;
第二導(dǎo)電層,呈網(wǎng)格狀,設(shè)置于所述透明基底的感應(yīng)區(qū),并與所述第一導(dǎo)電層通過所述絕緣層隔開,所述第二導(dǎo)電層包括相互交叉的第二導(dǎo)電絲線;
第一引線電極,設(shè)置于所述邊框區(qū),所述第一引線電極與所述第一導(dǎo)電層電連接,所述導(dǎo)通線路通過所述第一引線電極與所述第一導(dǎo)電層電連接;及
第二引線電極,設(shè)置于所述邊框區(qū),所述第二引線電極與所述第二導(dǎo)電層電連接,所述導(dǎo)通線路通過所述第二引線電極與所述第二導(dǎo)電層電連接。
2.如權(quán)利要求1所述的單層多點式導(dǎo)電膜,其特征在于,還包括基質(zhì)層,所述基質(zhì)層設(shè)于所述透明基底表面,所述感應(yīng)區(qū)及所述邊框區(qū)設(shè)于所述基質(zhì)層遠離透明基底的一側(cè),所述第一導(dǎo)電層及所述第二導(dǎo)電層均設(shè)置于所述基質(zhì)層的感應(yīng)區(qū)。
3.如權(quán)利要求1所述的單層多點式導(dǎo)電膜,其特征在于,所述第一引線電極及所述第二引線電極為線條狀。
4.如權(quán)利要求1所述的單層多點式導(dǎo)電膜,其特征在于,所述第一引線電極包括相互交叉的第一導(dǎo)電引線,所述第二引線電極包括相互交叉的第二導(dǎo)電引線。
5.如權(quán)利要求1所述的單層多點式導(dǎo)電膜,其特征在于,所述第一引線電極位于所述邊框區(qū)的表面,或所述邊框區(qū)上開設(shè)第一凹槽,所述第一引線收容于開設(shè)于所述第一凹槽中。
6.如權(quán)利要求5所述的單層多點式導(dǎo)電膜,其特征在于,所述第二引線電極位于所述邊框區(qū)的表面,或所述邊框區(qū)上開設(shè)第二凹槽,所述第二引線收容于開設(shè)于所述第二凹槽中。
7.如權(quán)利要求1所述的單層多點式導(dǎo)電膜,其特征在于,所述第一導(dǎo)電層及所述第二導(dǎo)電層的網(wǎng)格為規(guī)則網(wǎng)格或隨機網(wǎng)格。
8.如權(quán)利要求1所述的單層多點式導(dǎo)電膜,其特征在于,所述網(wǎng)格凹槽的寬度為d1,深度為h,其中,1μm≤d1≤5μm,2μm≤h≤6μm,h/d1>1。
9.如權(quán)利要求1所述的單層多點式導(dǎo)電膜,其特征在于,所述網(wǎng)格凹槽為底部為“V”字形、“W”字形、弧形或波浪形的微型槽。
10.如權(quán)利要求9所述的單層多點式導(dǎo)電膜,其特征在于,所述微型槽的深度為500nm~1μm。
11.如權(quán)利要求1所述的單層多點式導(dǎo)電膜,其特征在于,還包括覆蓋所述第二導(dǎo)電層表面的透明保護層。
12.一種單層多點式觸控屏,包括覆蓋板、單層多點式導(dǎo)電膜及顯示模組,其特征在于,所述單層多點式導(dǎo)電膜為如權(quán)利要求1~11任一項所述的單層多點式導(dǎo)電膜。
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