[實用新型]液晶面板和顯示裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201320456430.5
• 申請日: 2013-07-29
• 公開（公告）號: CN203337966U
• 公開（公告）日: 2013-12-11
• 發(fā)明（設計）人: 吳昊
• 申請（專利權）人: 北京京東方光電科技有限公司
• 主分類號: G02F1/1343
• 分類號: G02F1/1343
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

技術領域

本實用新型涉及顯示領域，尤其涉及一種液晶面板和顯示裝置。

背景技術

平面場模式指驅動液晶旋轉取向的主要是平行電場，包括平面轉換模式（In-Plane?Switching，簡稱：IPS）和高級超維場開關模式（Advanced-Super?Dimensional?Switching，簡稱：ADS）。ADS模式通過同一平面內像素電極或公共電極邊緣所產(chǎn)生的平行電場以及像素電極與公共電極間產(chǎn)生的縱向電場形成多維電場，使液晶盒內取向液晶分子都能夠產(chǎn)生旋轉轉換，從而提高平面取向系液晶工作效率并增大透光效率。

如圖1所示，ADS顯示器由ADS陣列基板20和彩膜基板10（圖1中還可理解為彩膜基板）對盒而形成，ADS陣列基板20和彩膜基板10之間滴注有液晶層30。一般而言，ADS陣列基板20包括：基板，依次設置在基板上的柵極金屬層、柵絕緣層、有源層、源漏極金屬層、樹脂層、第二電極22、絕緣保護層和第一電極21，在第一電極21為規(guī)則的微米尺寸級別的條形電極，第一電極21和第二電極22的板狀電極一起，形成平行電場，驅動液晶發(fā)生偏轉，進而實現(xiàn)顯示功能。

發(fā)明人發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有技術至少存在如下問題：在陣列基板生產(chǎn)過程中，在一張玻璃基板（最終制成陣列基板，陣列基板與彩膜基板對盒后可分割成多個獨立的顯示面板）上的不同區(qū)域，雖然設計時各層的特征參數(shù)（如層的厚度、線寬等）相同，但由于工藝條件的限制最終制成時各層的特征參數(shù)很難保證完全一致，尤其是中心區(qū)域和邊角區(qū)域與其它區(qū)域有較大的差異，出現(xiàn)分布性不良。上述分布性不良的主要表現(xiàn)之一是：在同一張玻璃基板上，第一電極21（條形電極）的尺寸很難完全一致，這樣就會造成不同顯示面板（對應同一張玻璃基板不同區(qū)域）的電場分布存在差異，而為了經(jīng)濟和大批量生產(chǎn)的需要不同顯示面板使用的電路調節(jié)代碼又是一致的，從而導致在同一張玻璃基板的中心和角落區(qū)域處透過率的差異，反應在產(chǎn)品上表現(xiàn)為不同顯示面板出現(xiàn)透過率上參差不齊的變化；另一方面由于第二電極和第一電極存在高度上的端差，使得液晶盒內兩層電極間不可避免的存在豎直電場，影響像素邊緣區(qū)域的液晶分布，以上兩方面都會嚴重影響產(chǎn)品的光學顯示特性。

實用新型內容

本實用新型所要解決的技術問題在于提供一種液晶面板和顯示裝置，可改善由于像素邊緣垂直電場導致的液晶分布差異性，提高產(chǎn)品的光學顯示特性。

為達到上述目的，本實用新型的實施例采用如下技術方案：

一種液晶面板，包括陣列基板、彩膜基板和設置在兩基板之間的液晶層，所述陣列基板上異層設置有第一電極和第二電極，所述彩膜基板上異層設置有第三電極和第四電極，所述第一電極和第三電極相對設置，所述第一電極和第三電極為狹縫狀電極，所述第二電極和第四電極為板狀電極，所述第一電極和第三電極分別位于第二電極和第四電極靠近液晶層的一側。

優(yōu)選地，所述第三電極的狹縫寬度的變化趨勢，與所述第一電極的狹縫寬度的變化趨勢相反。

優(yōu)選地，所述第三電極與所述第一電極的材質及制備時的工藝參數(shù)均相同，且使用相同的掩膜板和相同的設備加工而成。

優(yōu)選地，所述陣列基板上的第一電極和第二電極之間設置有鈍化層，所述彩膜基板上的第三電極和第四電極之間設置有第二鈍化層；

所述第二鈍化層與所述陣列基板的鈍化層的材質及制備時的工藝參數(shù)均相同，且使用相同的設備加工而成。

可選地，所述第四電極與所述第二電極的材質及制備時的工藝參數(shù)均相同，且使用相同的設備加工而成。

可選地，所述陣列基板還包括：薄膜晶體管、柵線和數(shù)據(jù)線，所述薄膜晶體管的柵極與所述柵線相連，所述薄膜晶體管的源極與所述數(shù)據(jù)線相連，所述薄膜晶體管的漏極與所述第一電極或者所述第二電極相連；

所述彩膜基板還包括：第二薄膜晶體管、第二柵線和第二數(shù)據(jù)線，所述第二薄膜晶體管的柵極與所述第二柵線相連，所述第二薄膜晶體管的源極與所述第二數(shù)據(jù)線相連，所述第二薄膜晶體管的漏極與所述第三電極或者所述第四電極相連。

具體地，所述薄膜晶體管和所述第二薄膜晶體管均包括：柵極、柵絕緣層、半導體層、源極和漏極；

所述第二薄膜晶體管的柵極與所述薄膜晶體管的柵極的材質及制備時的工藝參數(shù)完全相同，且使用相同的設備加工而成，

所述第二薄膜晶體管的柵絕緣層與所述薄膜晶體管的柵絕緣層的材質及制備時的工藝參數(shù)完全相同，且使用相同的設備加工而成，

所述第二薄膜晶體管的半導體層與所述薄膜晶體管的半導體層的材質及制備時的工藝參數(shù)完全相同，且使用相同的設備加工而成，