[實用新型]基于半內置集成半橋驅動結構的驅動電路有效

申請號：	201320453649.X	申請日：	2013-07-26
公開（公告）號：	CN203377807U	公開（公告）日：	2014-01-01
發明（設計）人：	畢磊	申請（專利權）人：	峰岹科技（深圳）有限公司
主分類號：	H02M7/5387	分類號：	H02M7/5387;H02P27/06
代理公司：	深圳市合道英聯專利事務所(普通合伙) 44309	代理人：	廉紅果
地址：	518000 廣東省深圳市南***	國省代碼：	廣東;44
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摘要：
搜索關鍵詞：	基于內置集成驅動結構電路
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【權利要求書】：

1.基于半內置集成半驅動結構的驅動電路，主要由集成在芯片（1）內部的控制器（2），以及集成在芯片（1）內部并與控制器（2）相連接的四個前置驅動器（3）組成，其特征在于：所述四個前置驅動器（3）的輸出端均與半橋驅動電路的輸入端相連接，且該半橋驅動電路的一部分集成在芯片（1）內部，另一部分則設置于芯片（1）的外部。

2.根據權利要求1所述的基于半內置集成半驅動結構的驅動電路，其特征在于：所述半橋驅動電路由集成在芯片（1）內部的場效應管MOS1和場效應管MOS2，以及設置在芯片（1）外部的場效應管MOS3和場效應管MOS4組成，所述四個前置驅動器（3）的輸出端分別與上述的場效應管MOS1、場效應管MOS2、場效應管MOS3及場效應管MOS4的輸入端相連接。

3.根據權利要求2所述的基于半內置集成半驅動結構的驅動電路，其特征在于：在場效應管MOS4的源級上還串接有分壓電阻R。

4.根據權利要求2或3所述的基于半內置集成半驅動結構的驅動電路，其特征在于：集成在芯片（1）內部的場效應管MOS1和場效應管MOS2分別為N溝道場效應管和P溝道場效應管。

5.根據權利要求2或3所述的基于半內置集成半驅動結構的驅動電路，其特征在于：設置在芯片（1）外部的場效應管MOS3和場效應管MOS4分別為P溝道場效應管和N溝道場效應管。

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