[實(shí)用新型]交流直接驅(qū)動(dòng)LED電路的過(guò)壓保護(hù)電路

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201320448248.5
• 申請(qǐng)日: 2013-07-25
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN203368019U
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-12-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 趙天鵬
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 合肥云杉光電科技有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H02H9/04
• 分類(lèi)號(hào): H02H9/04
• 代理公司: 安徽合肥華信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 34112
• 代理人: 余成俊

技術(shù)領(lǐng)域

????本實(shí)用新型涉及電子電路領(lǐng)域，具體是一種交流直接驅(qū)動(dòng)LED電路的過(guò)壓保護(hù)電路。

背景技術(shù)

交流驅(qū)動(dòng)LED電路具有效率高、可靠性高和成本低等優(yōu)點(diǎn)。但現(xiàn)有的交流驅(qū)動(dòng)LED電路中缺少一種良好的過(guò)壓保護(hù)電路，例如對(duì)于交流220伏工作的交流驅(qū)動(dòng)LED電路而言，當(dāng)交流電壓升高到265伏時(shí)，LED的功率將增加20%以上，當(dāng)交流電壓升高到更高時(shí)，往往會(huì)損壞LED和驅(qū)動(dòng)電路。

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型的目的是提供一種交流直接驅(qū)動(dòng)LED電路的過(guò)壓保護(hù)電路，當(dāng)輸入的交流電壓高于額定值而達(dá)到一定數(shù)值時(shí)，過(guò)壓保護(hù)電路將自動(dòng)工作，使LED的功率明顯減小，從而來(lái)保護(hù)了LED以及驅(qū)動(dòng)電路。

本實(shí)用新型的技術(shù)方案如下：

一種交流直接驅(qū)動(dòng)LED電路的過(guò)壓保護(hù)電路，其特征在于：包括有電阻R1、R2、R3、R4、MOS晶體管Q1和雙極晶體管Q2，所述電阻R1的一端與外部市電的整流電路的正輸出端相連，電阻R1的另一端分別與MOS晶體管Q1的柵極和雙極晶體管Q2的集電極相連，所述電阻R2的一端分別與雙極晶體管Q2的基極和電阻R4的一端相連，電阻R2的另一端分別與電阻MOS晶體管Q1的源極和電阻R3的一端相連，所述電阻R3的另一端接參考地，所述電阻R4的另一端分別與MOS晶體管Q1的漏極和外部的交流驅(qū)動(dòng)LED電路相連，所述雙極晶體管Q2的發(fā)射極接參考地。

所述的交流直接驅(qū)動(dòng)LED電路的過(guò)壓保護(hù)電路，其特征在于：所述的雙極晶體管Q2可由光耦合器u1替代，所述電阻R1的另一端與光耦合器u1的4腳相連，所述電阻R2的一端與光耦合器u1的1腳相連，光耦合器u1的2、3腳接參考地。

所述的交流直接驅(qū)動(dòng)LED電路的過(guò)壓保護(hù)電路，其特征在于：所述的MOS晶體管Q1可由達(dá)林頓晶體管Q1替代，所述電阻R1的另一端與達(dá)林頓晶體管Q1的基極相連，所述電阻R2的另一端與達(dá)林頓晶體管Q1的發(fā)射極相連，所述電阻R4的另一端與達(dá)林頓晶體管Q1的集電極相連。

本實(shí)用新型的有益效果：

本實(shí)用新型的過(guò)壓保護(hù)性能優(yōu)良，所用的元器件均為常見(jiàn)的元器件，成本低，當(dāng)輸入的交流電壓超過(guò)額定電壓100%時(shí)，該過(guò)壓保護(hù)電路仍然可以確保LED處于小功率工作狀態(tài)，并保證了驅(qū)動(dòng)電路不會(huì)發(fā)生損壞。

附圖說(shuō)明

????圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例1的電路圖。

圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例2的電路圖。

圖3為本實(shí)用新型實(shí)施例3的電路圖。

圖4為本實(shí)用新型的一種應(yīng)用電路圖。

圖5為本實(shí)用新型的另一種應(yīng)用電路圖。

具體實(shí)施方式

實(shí)施例1

如圖1所示，該交流直接驅(qū)動(dòng)LED電路的過(guò)壓保護(hù)電路包括有電阻R1、R2、R3、R4、MOS晶體管Q1和雙極晶體管Q2。電阻R1的一端與外部市電的整流電路的正輸出端相連，外部市電的整流電路的負(fù)輸出端作為參考地，電阻R1的另一端分別與MOS晶體管Q1的柵極和雙極晶體管Q2的集電極相連，電阻R2的一端與雙極晶體管Q2的基極以及電阻R4的一端相連，電阻R2的另一端分別與MOS晶體管Q1的源極和電阻R3的一端相連，電阻R3的另一端接參考地，電阻R4的另一端分別與MOS晶體管Q1的漏極和外部的交流驅(qū)動(dòng)LED電路相連，雙極晶體管Q2的發(fā)射極接參考地。其中，電阻R1的功率為0.25瓦、阻值為5.1兆歐，電阻R2的功率為0.25瓦、阻值為1K歐，電阻R3的功率為0.25瓦、阻值為3歐，電阻R4的功率為0.25瓦、阻值為1兆歐，MOS晶體管Q1的型號(hào)為1N80C，雙極晶體管Q2的型號(hào)為9018。

實(shí)施例2