[實用新型]一種金屬氧化物薄膜晶體管存儲器件有效
| 申請號： | 201320445823.6 | 申請日： | 2013-07-25 |
| 公開（公告）號： | CN203406293U | 公開（公告）日： | 2014-01-22 |
| 發明（設計）人： | 羅東向;徐苗;陶洪;龐佳威;周雷;李洪濛;王磊;彭俊彪 | 申請（專利權）人： | 廣州新視界光電科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/792 | 分類號： | H01L29/792;H01L29/10 |
| 代理公司： | 北京科億知識產權代理事務所(普通合伙) 11350 | 代理人： | 湯東鳳 |
| 地址： | 510730 廣東省廣州市廣州*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 金屬 氧化物 薄膜晶體管 存儲 器件 | ||
1.一種金屬氧化物薄膜晶體管存儲器件，其特征在于：設置有電荷存儲層，金屬氧化物薄膜晶體管的有源層位于所述電荷存儲層和金屬氧化物薄膜晶體管的絕緣層之間。
2.根據權利要求1所述的金屬氧化物薄膜晶體管存儲器件，其特征在于：所述電荷存儲層為三氧化鉬薄膜層、三氧化鎢薄膜層、氧化鎳薄膜層、C60薄膜層、PCBM薄膜層、碳納米管薄膜層、石墨烯薄膜層、聚乙烯二氧噻吩薄膜層、P-PPV薄膜層、PFO薄膜層或者PFN薄膜層中的任意一種。
3.根據權利要求2所述的金屬氧化物薄膜晶體管存儲器件，其特征在于：所述電荷存儲層的層厚設置為1～50?nm。
4.根據權利要求1至3任意一項所述的金屬氧化物薄膜晶體管存儲器件，其特征在于：所述金屬氧化物薄膜晶體管為背溝道刻蝕型底柵結構，所述電荷存儲層位于有源層之上、源漏電極和鈍化層之下。
5.根據權利要求1至3任意一項所述的金屬氧化物薄膜晶體管存儲器件，其特征在于：所述金屬氧化物薄膜晶體管為背溝道刻蝕型底柵結構，所述電荷存儲層位于有源層和源漏電極之上、鈍化層之下。
6.根據權利要求1至3任意一項所述的金屬氧化物薄膜晶體管存儲器件，其特征在于：所述金屬氧化物薄膜晶體管為刻蝕阻擋型底柵結構，所述電荷存儲層位于有源層之上、刻蝕阻擋層之下。
7.根據權利要求1至3任意一項所述的金屬氧化物薄膜晶體管存儲器件，其特征在于：所述金屬氧化物薄膜晶體管為頂柵結構，所述電荷存儲層位于襯底之上、有源層之下。
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