[實用新型]一種室溫工作的高性能氮氧化物氣敏元件有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201320444473.1 | 申請日： | 2013-07-24 |
| 公開（公告）號： | CN203350214U | 公開（公告）日： | 2013-12-18 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 胡明;李明達;曾鵬;馬雙云;閆文君 | 申請（專利權(quán)）人： | 天津大學 |
| 主分類號： | G01N27/00 | 分類號： | G01N27/00 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限責任專利代理事務所 12201 | 代理人： | 張宏祥 |
| 地址： | 300072*** | 國省代碼： | 天津;12 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 室溫 工作 性能 氧化物 元件 | ||
1.一種室溫工作的高性能氮氧化物氣敏元件，包括硅基片襯底、多孔硅層和鉑電極，其特征在于，所述硅基片襯底(1)為n型單晶硅基片，硅基片襯底(1)的上面設(shè)置有多孔硅層(2)，多孔硅層(2)上表面設(shè)置有氧化鎢薄膜(3)，氧化鎢薄膜(3)的上面設(shè)置有銅薄膜(4)，銅薄膜(4)的上表面設(shè)置有鉑電極正極(5)和鉑電極負極(6)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的一種室溫工作的高性能氮氧化物氣敏元件，其特征在于，所述硅基片襯底(1)的尺寸為2.4cm×0.9cm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的一種室溫工作的高性能氮氧化物氣敏元件，其特征在于，所述多孔硅層(2)的平均孔徑為170nm，厚度為68μm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的一種室溫工作的高性能氮氧化物氣敏元件，其特征在于，所述氧化鎢薄膜(3)的薄膜厚度為35nm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1的一種室溫工作的高性能氮氧化物氣敏元件，其特征在于，所述銅薄膜(4)的薄膜厚度為8nm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1的一種室溫工作的高性能氮氧化物氣敏元件，其特征在于，所述鉑電極正極(5)和鉑電極負極(6)為0.2cm×0.2cm的方形鉑電極，電極厚度為80nm，電極間距為8mm。
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