[實用新型]一種具有新型柵結構的柵控半導體器件

有效

• 申請號: 201320443130.3
• 申請日: 2013-07-24
• 公開（公告）號: CN203351602U
• 公開（公告）日: 2013-12-18
• 發明（設計）人: 王元剛;馮志紅;敦少博;呂元杰;房玉龍;顧國棟;宋旭波
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第十三研究所
• 主分類號: H01L29/423
• 分類號: H01L29/423;H01L29/778
• 代理公司: 石家莊國為知識產權事務所 13120
• 代理人: 陸林生

1.一種具有新型柵結構的柵控半導體器件，其特征在于自下而上包括襯底（1）、中間層和柵結構，所述柵控半導體器件的柵結構沿柵寬方向由介質柵和肖特基柵交替連接組成；所述介質柵的數目n1和肖特基柵的數目n2均為大于等于1的整數。

2.根據權利要求1所述的一種具有新型柵結構的柵控半導體器件，其特征在于所述介質柵柵寬度d1范圍為：1nm≤d1≤10mm。

3.根據權利要求1或2所述的一種具有新型柵結構的柵控半導體器件，其特征在于所述為肖特基柵柵寬度d2范圍為：1nm≤d2≤10mm。

4.根據權利要求1所述的一種具有新型柵結構的柵控半導體器件，其特征在于所述肖特基柵為平面柵或者凹槽柵，所述介質柵為平面柵或者凹槽柵。

5.根據權利要求1或4所述的一種具有新型柵結構的柵控半導體器件，其特征在于各介質柵的柵介質（7）的厚度h相等，且h大于0nm且小于等于1mm。

6.根據權利要求1或4所述的一種具有新型柵結構的柵控半導體器件，其特征在于所述介質柵和肖特基柵所用金屬為相同金屬。

7.根據權利要求1所述的一種具有新型柵結構的柵控半導體器件，其特征在于所述柵控半導體器件為Si柵控器件、III族氮化物柵控器件、GaAs柵控器件、金剛石柵控器件、石墨烯柵控器件、Ge柵控器件或InP柵控器件。