[實用新型]提升方波驅動高電平電壓幅度的電路

有效

• 申請號: 201320440827.5
• 申請日: 2013-07-23
• 公開（公告）號: CN203340193U
• 公開（公告）日: 2013-12-11
• 發明（設計）人: 李正麗;廖紅明;戴德軍
• 申請（專利權）人: 四川長虹欣銳科技有限公司
• 主分類號: H04N5/63
• 分類號: H04N5/63
• 代理公司: 成都虹橋專利事務所(普通合伙) 51124
• 代理人: 劉世平

技術領域

本實用新型涉及開關電源技術，特別涉及平板電視開關電源技術。

背景技術

隨著科學技術的快速發展人民的生活水平日漸提高，平板電視成為人們日常娛樂的必需品。而市場上的平板電視主要包括液晶(LCD)平板電視、等離子（PDP）電視以及LED超薄平板電視。目前，LED超薄平板電視成為市場主流，平板電視電源則是其核心部件，當然，帶LED驅動電路的電源也成為目前開關電源的主流。目前市場上多采用LED驅動控制芯片，其輸出的驅動信號幅度為5V,只能驅動邏輯場效應管。因此，在設計電源LED驅動電路選擇場效應管時具有很大的限制性。

實用新型內容

本實用新型所要解決的技術問題，就是針對設計LED驅動電路時，因為其輸出的驅動信號幅度為5V,只能驅動邏輯場效應管，造成的選擇場效應管的限制性，提出一種提升方波驅動高電平電壓幅度的電路，通過將低幅度的高頻方波驅動信號轉換為高幅度的高頻方波驅動信號，從而提升場效應管柵極的驅動電壓幅度，保證場效應管有效導通，來實現LED驅動電路選擇場效應管的多樣性，同時降低場效應管工作溫度，保證電源安全可靠的工作。

本實用新型解決所述技術問題，采用的技術方案是，提升方波驅動高電平電壓幅度的電路，包括輸入端、輸出端、分壓模塊、信號切換模塊、供電模塊及放電模塊，所述輸入端與分壓模塊連接，所述分壓模塊與信號切換模塊連接，所述信號切換模塊分別與供電模塊、放電模塊及輸出端連接，所述放電模塊分別與信號切換模塊及輸出端連接。

具體的，所述分壓模塊包括第一電阻及第二電阻，所述第一電阻的一端與輸入端連接，第一電阻的另一端分別于第二電阻的一端及信號切換模塊連接，所述第二電阻的另一端接地。

具體的，所述信號切換模塊包括第一切換場效應管、第二切換場效應管、第三切換場效應管、第三電阻、第四電阻、第五電阻、第六電阻及第八電阻，所述第一切換場效應管的柵極與分壓模塊連接，第一切換場效應管的源極接地，第一切換場效應管的漏極分別于第三電阻的一端、第四電阻的一端及第二切換場效應管的柵極連接，所述第三電阻的另一端與供電模塊連接，所述第四電阻的另一端接地，所述第二切換場效應管的源極接地，第二切換場效應管的漏極分別與第五電阻的一端、第三切換場效應管的柵極和放電模塊連接，所述第五電阻的另一端分別與第六電阻的一端及供電模塊連接，所述第六電阻的另一端與第三切換場效應管的漏極連接，所述第三切換場效應管的源極分別與放電模塊、輸出端及第八電阻的一端連接，所述第八電阻的另一端接地。

具體的，所述供電模塊為直流源，所述直流源的電壓幅度可任意調節。

具體的，所述放電模塊包括二極管及第七電阻，所述二極管的陰極與信號切換模塊連接，二極管的陽極與第七電阻的一端連接，所述第七電阻的另一端與輸出端連接。

具體的，所述第一切換場效應管、第二切換場效應管及第三切換場效應管皆為MOS管（金屬-氧化層-半導體場效應晶體管）。

具體的，所述MOS管為NMOS管（N溝道金屬-氧化層-半導體場效應晶體管）。

本實用新型的有益效果是，通過上述提升方波驅動高電平電壓幅度的電路，將低幅度的高頻方波驅動信號轉換為高幅度的高頻方波驅動信號，從而提升場效應管柵極的驅動電壓幅度，保證場效應管有效導通，實現LED驅動電路選擇場效應管的多樣性，降低場效應管工作溫度，保證電源安全可靠的工作。并且本實用新型電路結構簡單，易于實現。

附圖說明

圖1是本實用新型的原理圖。

圖2是本實用新型的實施例電路結構圖。

其中，PWM?in表示輸入方波信號，PWM?out表示輸出方波信號，R1表示第一電阻，R2表示第二電阻，R3表示第三電阻，R4表示第四電阻，R5表示第五電阻，R6表示第六電阻，R7表示第七電阻，R8表示第八電阻，Q1表示第一切換NMOS管，Q2表示第二切換NMOS管，Q3表示第三切換NMOS管，D1表示二極管，DC?source表示直流源輸入信號。

具體實施方式

下面結合附圖及實施例，詳細描述本實用新型的技術方案。