[實用新型]半導(dǎo)體裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201320437125.1 | 申請日： | 2013-07-22 |
| 公開（公告）號： | CN203339144U | 公開（公告）日： | 2013-12-11 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 下田一郎 | 申請（專利權(quán)）人： | 三墾電氣株式會社 |
| 主分類號： | H01L23/367 | 分類號： | H01L23/367;H01L23/31 |
| 代理公司： | 北京三友知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127 | 代理人： | 李輝;金玲 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體 裝置 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.一種半導(dǎo)體裝置，其具有：
功率元件；
第1下墊板，其在一個主面上通過第1導(dǎo)電性粘合劑載置了所述功率元件；
散熱板，其在一個主面上通過絕緣性粘合劑載置了所述第1下墊板；以及
密封樹脂體，其以所述散熱板的另一個主面露出的方式對所述功率元件、所述第1下墊板以及所述散熱板進行密封，
該半導(dǎo)體裝置的特征在于，
所述第1下墊板在另一個主面上具有至少2個以上的槽部，
所述槽部并行于所述第1下墊板相鄰且相對的緣部而延伸，且末端被開口。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，
所述槽部越趨近末端槽越深。
下載完整專利技術(shù)內(nèi)容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于三墾電氣株式會社，未經(jīng)三墾電氣株式會社許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201320437125.1/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇：多芯片封裝結(jié)構(gòu)
- 下一篇：一種晶體切角套磁珠點膠機
