[實用新型]太陽電池陣用大面積硅旁路二極管有效
| 申請號: | 201320436633.8 | 申請日: | 2013-07-22 |
| 公開(公告)號: | CN203434160U | 公開(公告)日: | 2014-02-12 |
| 發明(設計)人: | 梁存寶;杜永超;歐偉;韓志剛 | 申請(專利權)人: | 天津恒電空間電源有限公司;中國電子科技集團公司第十八研究所 |
| 主分類號: | H01L29/861 | 分類號: | H01L29/861;H01L29/43;H01L29/06 |
| 代理公司: | 天津市鼎和專利商標代理有限公司 12101 | 代理人: | 李鳳 |
| 地址: | 300384 天津市濱海新區*** | 國省代碼: | 天津;12 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 太陽電池 大面積 旁路 二極管 | ||
1.太陽電池陣用大面積硅旁路二極管,包括三角形P型硅襯底,襯底上面自下至上有磷擴散層和上電極,襯底下面自上至下有硼擴散層和下電極,磷擴散層周圍的襯底有氧化環,其特征在于:所述氧化環和襯底之間制有P+硼隔離環;所述上電極為Ti-Pd-Ag上電極系統;所述下電極為Al-Ti-Pd-Ag下電極系統。
2.根據權利要求1所述的太陽電池陣用大面積硅旁路二極管,其特征在于:所述硼擴散層為p+硼重摻層;所述磷擴散層為n+磷重摻層。
3.根據權利要求1或2所述的太陽電池陣用大面積硅旁路二極管,其特征在于:所述Ti-Pd-Ag上電極系統由依次蒸鍍在硼擴散層上的上電極Ti層、上電極Pd層和上電極Ag層構成。
4.根據權利要求1或2所述的太陽電池陣用大面積硅旁路二極管,其特征在于:所述Al-Ti-Pd-Ag下電極系統由依次蒸鍍在磷擴散層上的下電極Al層、下電極Ti層、下電極Pd層和下電極Ag層構成。
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