[實(shí)用新型]一種功率因數(shù)補(bǔ)償裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201320436552.8
• 申請日: 2013-07-23
• 公開（公告）號: CN203368318U
• 公開（公告）日: 2013-12-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 黃志鋼;李向峰;王孝紅;唐建業(yè);李洪
• 申請（專利權(quán)）人: 浙江嘉科電子有限公司
• 主分類號: H02M1/42
• 分類號: H02M1/42
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種功率因數(shù)補(bǔ)償裝置，采用BOOST升壓電路，其特征在于：所述BOOST升壓電路包括軟開關(guān)循環(huán)模塊、并聯(lián)交錯(cuò)模塊、磁集成模塊、電流反饋檢測模塊和電壓反饋檢測模塊，所述軟開關(guān)循環(huán)模塊的引腳GD-M、MOSFET?Q100、電感L100、引腳ZCD-M相連接，引腳GD-S、MOSFET?Q101、電感L101、引腳ZCD-S相連接，所述并聯(lián)交錯(cuò)模塊是由引腳GD-M、MOSFET?Q100、電感L100、引腳ZCD-M、二極管D100組成的電路和引腳GD-S、MOSFET?Q101、電感L101、引腳ZCD-S、二極管D101組成的電路并聯(lián)交錯(cuò)連接而成，所述磁集成模塊是將電感L100和電感L101的磁芯交錯(cuò)連接集成在一起，所述電流反饋檢測模塊包括引腳OCP-M和引腳OCP-S，所述電壓反饋檢測模塊包括引腳FB。?

2.如權(quán)利要求1所述的一種功率因數(shù)補(bǔ)償裝置，其特征在于：所述軟開關(guān)循環(huán)模塊的引腳GD-M產(chǎn)生一個(gè)驅(qū)動(dòng)信號將MOSFET?Q100導(dǎo)通時(shí)，電感L100的電流開始上升；引腳GD-M產(chǎn)生的驅(qū)動(dòng)信號結(jié)束時(shí)，MOSFET?Q100截止，此時(shí)電感L100的電流開始下降，引腳ZCD-M通過電感L100的輔助繞組檢測到電感L100的電流下降到零時(shí)，引腳GD-M再次產(chǎn)生一個(gè)驅(qū)動(dòng)信號將MOSFET?Q100導(dǎo)通。?

3.如權(quán)利要求1所述的一種功率因數(shù)補(bǔ)償裝置，其特征在于：所述軟開關(guān)循環(huán)模塊的引腳GD-S產(chǎn)生一個(gè)驅(qū)動(dòng)信號將MOSFET?Q101導(dǎo)通時(shí)，電感L101的電流開始上升；引腳GD-S產(chǎn)生的驅(qū)動(dòng)信號結(jié)束時(shí)，MOSFET?Q101截止，此時(shí)電感L101的電流開始下降，引腳ZCD-S通過電感L101的輔助繞組檢測到電感L101的電流下降到零時(shí)，引腳GD-S再次產(chǎn)生一個(gè)驅(qū)動(dòng)信號將MOSFET?Q101導(dǎo)通。?

4.如權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的一種功率因數(shù)補(bǔ)償裝置，其特征在于：所述引腳GD-M和引腳GD-S產(chǎn)生的驅(qū)動(dòng)信號在相位上相差180°。?