[實用新型]背照式圖像傳感器有效
| 申請號： | 201320429340.7 | 申請日： | 2013-07-15 |
| 公開（公告）號： | CN203456461U | 公開（公告）日： | 2014-02-26 |
| 發明（設計）人： | 趙立新 | 申請（專利權）人： | 格科微電子（上海）有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/146 | 分類號： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京戈程知識產權代理有限公司 11314 | 代理人： | 程偉;王剛 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 背照式 圖像傳感器 | ||
1.一種背照式圖像傳感器，包括：?
硅片層，其包括用于感光產生電信號的光電二極管，所述硅片層具有正表面和背表面；?
后端層，其設置于所述硅片層的正表面，所述后端層包括晶體管柵極、柵氧化層、導線層和介電層；?
入光層，其包括微透鏡層和濾光膜層，所述入光層設置于所述硅片層背表面；?
其特征在于，所述后端層還包括：?
吸光層，其設置于所述后端層預設位置，所述吸光層用于吸收從硅片層透射過來的光線。?
2.根據權利要求1所述的背照式圖像傳感器，其特征在于：所述吸光層設置于所述后端層的介電層內部的預設區域內。?
3.根據權利要求1所述的背照式圖像傳感器，其特征在于：所述吸光層設置于所述硅片層正表面與所述介電層之間預設區域內。?
4.根據權利要求1所述的背照式圖像傳感器，其特征在于：所述吸光層與所述介電層為同一結構層，即所述介電層采用吸光材料構成。?
5.根據權利要求1-4任一項所述的背照式圖像傳感器，其特征在于：所述吸光層設置于所述光電二極管所處位置的硅片層正表面下方，所述吸光層橫截面的面積不小于所述光電二極管橫截面的面積。?
6.根據權利要求4所述的背照式圖像傳感器，其特征在于：所述吸光材料是對所述傳感器的探測波段光吸收率為50%-100%的材料。?
7.根據權利要求4所述的背照式圖像傳感器，其特征在于：所述吸光材料為碳或者三氧化鉻。?
8.根據權利要求7所述的背照式圖像傳感器，其特征在于：所述吸光材料為石墨。?
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
