[實用新型]InN/AlN/玻璃結構

有效

• 申請號: 201320425747.2
• 申請日: 2013-07-17
• 公開（公告）號: CN203367341U
• 公開（公告）日: 2013-12-25
• 發明（設計）人: 張鐵巖;鞠振河;張東;鄭洪
• 申請（專利權）人: 遼寧太陽能研究應用有限公司
• 主分類號: H01L33/12
• 分類號: H01L33/12;H01L31/0304
• 代理公司: 沈陽亞泰專利商標代理有限公司 21107
• 代理人: 史旭泰

技術領域

本實用新型屬于新型光電材料技術領域，尤其涉及一種InN/AlN/玻璃結構。

背景技術

氮化銦（InN）是Ⅲ族氮化物中的重要成員，與GaN和AlN相比，InN的遷移率和尖峰速率等都是最高的，在高速高頻晶體管等電子器件的應用上有獨特優勢；其室溫帶隙位于近紅外區，也適于制備高效率太陽能電池、半導體發光二極管及光通信器件等光電器件。現有InN光電薄膜一般生長在藍寶石等一些基片上。眾所周知，藍寶石基片的價格較高，用它作為InN材料的襯底，使InN材料基的器件的成本很難降下來，嚴重阻礙了InN材料器件的發展。

發明內容

本實用新型就是針對上述問題，提供一種電學性能良好且成本低的InN/AlN/玻璃結構。

為實現上述目的，本實用新型采用如下技術方案，本實用新型包括玻璃基片，其結構要點玻璃基片上沉積有AlN緩沖層薄膜，AlN緩沖層薄膜上沉積有InN光電薄膜。

作為一種優選方案，本實用新型所述AlN緩沖層薄厚度為30～200nm。

作為另一種優選方案，本實用新型所述InN光電薄膜的厚度為200nm～800nm。

作為另一種優選方案，本實用新型所述所述玻璃基片為康寧玻璃基片。

作為另一種優選方案，本實用新型所述玻璃基片的厚度為0.2mm～0.8mm。

作為另一種優選方案，本實用新型所述AlN緩沖層薄膜厚度為200nm，InN光電薄膜的厚度為800nm。

作為另一種優選方案，本實用新型所述AlN緩沖層薄膜厚度為30nm，InN光電薄膜的厚度為200nm。

作為另一種優選方案，本實用新型所述AlN緩沖層薄膜厚度為80nm，InN光電薄膜的厚度為500nm。

其次，本實用新型所述AlN緩沖層薄膜厚度為60nm，InN光電薄膜的厚度為700nm。

另外，本實用新型所述AlN緩沖層薄膜厚度為50nm，InN光電薄膜的厚度為600nm。

本實用新型有益效果。

本實用新型通過在AlN/玻璃基片襯底上沉積制備出高質量的InN光電薄膜，成本非常低。另外，本實用新型在AlN/玻璃基片結構上的InN光電薄膜產品經測試具有良好的電學性能和穩定性，易于制備出高頻率大功率的器件。其次，AlN與InN具有相似的晶體結構，作為InN與玻璃之間的緩沖層，很好的解決了InN外延層與玻璃襯底之間存在的晶格失配問題。

附圖說明

下面結合附圖和具體實施方式對本實用新型做進一步說明。本實用新型保護范圍不僅局限于以下內容的表述。

圖1為本實用新型InN/AlN/玻璃基片結構X射線衍射圖譜。

圖2為本實用新型實例1InN/AlN/玻璃基片結構的原子力顯微鏡（AFM）測試圖像。

圖3為本實用新型實例1InN/AlN/玻璃基片結構的掃描電子顯微鏡（SEM）測試圖像。

圖4為本實用新型實例2InN/AlN/玻璃基片結構的掃描電子顯微鏡（SEM）測試圖像。

圖5為本實用新型InN/AlN/玻璃基片結構示意圖。

圖5中,1為玻璃基片，2為AlN薄膜緩沖層，3為InN光電薄膜。

具體實施方式

如圖所示，本實用新型包括玻璃基片，玻璃基片上沉積有AlN緩沖層薄膜，AlN緩沖層薄膜上沉積有InN光電薄膜。

所述AlN緩沖層薄厚度為30～200nm。

所述InN光電薄膜的厚度為200nm～800nm。

所述所述玻璃基片為康寧玻璃基片。

所述玻璃基片的厚度為0.2mm～0.8mm。

所述AlN緩沖層薄膜厚度為200nm，InN光電薄膜的厚度為800nm。

所述AlN緩沖層薄膜厚度為30nm，InN光電薄膜的厚度為200nm。

所述AlN緩沖層薄膜厚度為80nm，InN光電薄膜的厚度為500nm。

所述AlN緩沖層薄膜厚度為60nm，InN光電薄膜的厚度為700nm。