[實用新型]密封結構、反應腔室和半導體處理設備有效
| 申請號： | 201320425745.3 | 申請日： | 2013-07-17 |
| 公開（公告）號： | CN203429246U | 公開（公告）日： | 2014-02-12 |
| 發明（設計）人： | 黨志泉;周衛國 | 申請（專利權）人： | 北京北方微電子基地設備工藝研究中心有限責任公司 |
| 主分類號： | C23C16/44 | 分類號： | C23C16/44 |
| 代理公司： | 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100026 北*** | 國省代碼： | 北京;11 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 密封 結構 反應 半導體 處理 設備 | ||
1.一種密封結構，包括密封圈，通過密封圈密封的第一結構與第二結構，其特征在于，
還包括密封圈冷卻結構，
所述密封圈冷卻結構包括：風冷輸氣管和風冷導氣孔；所述風冷導氣孔的一端與所述風冷輸氣管相導通，另一端形成多個風冷出氣口，所述風冷出氣口的位置位于所述密封圈內側。
2.根據權利要求1所述的密封結構，其特征在于，
所述多個風冷出氣口沿所述密封圈等間距分布。
3.根據權利要求1所述的密封結構，其特征在于，所述密封圈冷卻結構還包括水冷槽，所述水冷槽的位置位于所述密封圈外側。
4.根據權利要求1所述的密封結構，其特征在于，所述密封圈冷卻結構還包括：
一個或多個隔熱筒，設置于所述密封圈的內側。
5.根據權利要求4所述的密封結構，其特征在于，所述隔熱筒為金屬隔熱筒。
6.根據權利要求5所述的密封結構，其特征在于，所述金屬隔熱筒的內表面設置有反射層。
7.根據權利要求6所述的密封結構，其特征在于，對所述金屬隔熱筒的內表面進行拋光處理以形成反射層。
8.根據權利要求1-7任一項所述的密封結構，其特征在于，
所述第一結構為反應腔基座，所述第二結構為保溫石英筒。
9.一種反應腔室，其特征在于，所述反應腔室設置有權利要求1-8任一項所述的密封結構。
10.一種半導體處理設備，其特征在于，所述半導體處理設備包括權利要求9所述的反應腔室。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于北京北方微電子基地設備工藝研究中心有限責任公司，未經北京北方微電子基地設備工藝研究中心有限責任公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201320425745.3/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
C23C 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面擴散法，化學轉化或置換法的金屬材料表面處理；真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆，例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上，例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的
