[實用新型]半箔半線低壓線圈結構有效
| 申請號： | 201320424673.0 | 申請日： | 2013-07-17 |
| 公開（公告）號： | CN203386579U | 公開（公告）日： | 2014-01-08 |
| 發明（設計）人： | 林光鶯;范益彬 | 申請（專利權）人： | 國家電網公司;福州天宇電氣股份有限公司 |
| 主分類號： | H01F27/28 | 分類號： | H01F27/28;H01F27/32 |
| 代理公司： | 福州元創專利商標代理有限公司 35100 | 代理人： | 蔡學俊 |
| 地址： | 100761 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半箔半線 低壓 線圈 結構 | ||
【權利要求書】：
1.一種半箔半線低壓線圈結構，包括箔繞線圈，所述箔繞線圈的每層之間設有端絕緣和層間絕緣，所述箔繞線圈的首尾兩端分別由引線排出線，其特征在于：所述箔繞線圈外圍纏繞有線繞線圈，所述線繞線圈是由導線并聯繞成且分別出線，所述線繞線圈的匝數比箔繞線圈的匝數多，所述線繞線圈的每層之間也設有端絕緣和層間絕緣。
2.根據權利要求1所述的半箔半線低壓線圈結構，其特征在于：所述箔繞線圈是由銅箔繞成，所述引線排為銅排。
3.根據權利要求1或2所述的半箔半線低壓線圈結構，其特征在于：所述導線為銅線。
4.根據權利要求1所述的半箔半線低壓線圈結構，其特征在于：所述箔繞線圈的端絕緣和層間絕緣均采用DMD預浸布。
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