[實用新型]紫外探測器有效
| 申請號： | 201320421136.0 | 申請日： | 2013-07-16 |
| 公開（公告）號： | CN203434179U | 公開（公告）日： | 2014-02-12 |
| 發明（設計）人： | 梅增霞;侯堯楠;梁會力;劉堯平;杜小龍 | 申請（專利權）人： | 中國科學院物理研究所 |
| 主分類號： | H01L31/09 | 分類號： | H01L31/09;H01L31/0352 |
| 代理公司： | 北京智匯東方知識產權代理事務所(普通合伙) 11391 | 代理人： | 范曉斌;薛峰 |
| 地址： | 100190 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 紫外 探測器 | ||
【權利要求書】：
1.一種紫外探測器，包括：?
ZnO襯底；?
布置在所述ZnO襯底上的BeO絕緣層；以及?
布置在所述BeO絕緣層上的MgZnO薄膜層或BeZnO薄膜層。?
2.根據權利要求1所述的紫外探測器，其中，所述BeO絕緣層的厚度為30～90nm。?
3.根據權利要求2所述的紫外探測器，其中，所述BeO絕緣層的厚度為40～60nm。?
4.根據權利要求1～3中任一項所述的紫外探測器，其中，所述MgZnO薄膜層或BeZnO薄膜層由纖鋅礦結構的MgZnO或BeZnO材料形成。?
5.根據權利要求1～3中任一項所述的紫外探測器，其中，所述MgZnO薄膜層或BeZnO薄膜層的厚度為100～1000nm。?
6.根據權利要求1～3中任一項所述的紫外探測器，其中，還包括在所述MgZnO薄膜層或BeZnO薄膜層表面制備的電極。?
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
