[實用新型]一種改善膜層強度的低透射率鍍膜玻璃有效
| 申請號: | 201320420931.8 | 申請日: | 2013-07-16 |
| 公開(公告)號: | CN203391416U | 公開(公告)日: | 2014-01-15 |
| 發明(設計)人: | 唐華明 | 申請(專利權)人: | 蘇州華東鍍膜玻璃有限公司 |
| 主分類號: | B32B17/06 | 分類號: | B32B17/06;B32B15/04;B32B33/00;C03C17/36 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 改善 強度 透射率 鍍膜 玻璃 | ||
技術領域
本實用新型涉及一種鍍膜玻璃,尤其涉及一種改善膜層強度的低透射率鍍膜玻璃。
背景技術
過量的光輻射對人類生活和生產環境造成不亮影響的現象。如可見光、紅外線和紫外線造成的污染。為了減少光污染,需要提供低透射率(Low-E)鍍膜玻璃。所謂透射率是指入射光經過折射穿過物體后的出射現象;為了表示透明體透過光的程度,通常用入射光通量與透過后的光通量之比T來表征物體的透光性質,T稱為光透射率。
改善膜層強度的低透射率鍍膜玻璃是在浮法玻璃基片表面上鍍上純銅膜層,以降低玻璃輻射率阻隔紅外熱輻射。根據不同的使用需要,在銀膜層的兩側面分別鍍制適當的保護層和匹配層,使其具有所需求的可見光透過率,以保持必要的室內光線照度,同時兼顧且降低太陽光譜中的紅外線輻射進入室內以降低室內的熱負荷,并較好的防止過量紫外線輻射進入室內。
目前常規Low-E鍍膜膜層結構:四氮化三硅+鎳鉻+銀+鎳鉻+四氮化三硅;現Low-E鍍膜玻璃主要有兩種生產方式:1.在線高溫熱解沉積法2.離線真空濺射法,其中現在最為流行的鍍膜玻璃生產方式為離線真空濺射法?,F有技術是采用真空磁控濺射鍍膜技術,將輻射率極低的金屬銀(Ag)及其它金屬和金屬化合物均勻地鍍在玻璃表面而制成的,一般采用的鍍膜結構四氮化三硅+鎳鉻+銀+鎳鉻+四氮化三硅,此膜系透射率一般在40%,對可見光的反射率約為30%左右。由此可見,采用現有鍍膜膜層,其對可見光的反射率略高,光污染也略高,而且室內采光效果略低。此外,現有膜層結構較為脆弱,銀膜層也容易氧化退化。
實用新型內容
本實用新型所要解決的技術問題是提供一種改善膜層強度的低透射率鍍膜玻璃,能夠降低可見光的反射率,增強室內采光效果,并且提高膜層的穩定性和深加工的可靠性。
本實用新型為解決上述技術問題而采用的技術方案是提供一種改善膜層強度的低透射率鍍膜玻璃,包括玻璃基片,其中,所述玻璃基片上依次鍍有第一四氮化三硅膜層、第一鎳鉻膜層、銅膜層、第二鎳鉻膜層、氧化鋅膜層和第二四氮化三硅膜層。
上述的改善膜層強度的低透射率鍍膜玻璃,其中,所述第一四氮化三硅膜層和第二四氮化三硅膜層的厚度相同。
上述的改善膜層強度的低透射率鍍膜玻璃,其中,所述第一鎳鉻膜層和第二鎳鉻膜層的厚度相同。
本實用新型對比現有技術有如下的有益效果:本實用新型提供的改善膜層強度的低透射率鍍膜玻璃,通過增加一層氧化鋅膜層并采用銅膜層代替銀膜層,從而大大降低可見光的反射率,增強室內采光效果,并且膜層不易氧化退化,提高膜層的穩定性和深加工的可靠性。
附圖說明
圖1為本實用新型的改善膜層強度的低透射率鍍膜玻璃結構示意圖。
圖中:
1玻璃基片??????2第一四氮化三硅膜層????3第一鎳鉻膜層
4銅膜層????????5第二鎳鉻膜層??????????6第二四氮化三硅膜層
7氧化鋅膜層
具體實施方式
下面結合附圖和實施例對本實用新型作進一步的描述。
圖1為本實用新型的改善膜層強度的低透射率鍍膜玻璃結構示意圖。
請參見圖1,本實用新型提供的改善膜層強度的低透射率鍍膜玻璃包括玻璃基片1,其中,所述玻璃基片1上依次鍍有第一四氮化三硅膜層2、第一鎳鉻膜層3、銅膜層4、第二鎳鉻膜層5、氧化鋅膜層7和第二四氮化三硅膜層6。
本實用新型提供的改善膜層強度的低透射率鍍膜玻璃,其中,所述第一四氮化三硅膜層2和第二四氮化三硅膜層6的厚度最好相同;所述第一鎳鉻膜層3和第二鎳鉻膜層5的厚度最好相同以便進一步降低可見光的反發射率。
為了保證膜層的厚度和均勻度,可采用真空磁控濺射鍍膜技術,在玻璃基片上分別鍍上上述膜層;將鍍好的膜層進過可靠的光學及熱學測試,本實用新型提供的的改善膜層強度的低透射率鍍膜玻璃的反射率明顯降低到16%左右。由此可見,本實用新型提供的改善膜層強度的低透射率鍍膜玻璃,通過增加一層氧化鋅膜層并采用銅膜層代替銀膜層,從而大大降低可見光的反射率,增強室內采光效果,并且膜層不易氧化退化,提高膜層的穩定性和深加工的可靠性。
雖然本實用新型已以較佳實施例揭示如上,然其并非用以限定本實用新型,任何本領域技術人員,在不脫離本實用新型的精神和范圍內,當可作些許的修改和完善,因此本實用新型的保護范圍當以權利要求書所界定的為準。
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