[實用新型]高低結多子電導調制功率MOSFET器件

有效

• 申請號: 201320420473.8
• 申請日: 2013-07-07
• 公開（公告）號: CN203481241U
• 公開（公告）日: 2014-03-12
• 發明（設計）人: 王立模
• 申請（專利權）人: 王立模
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一類高低結多子電導調制功率MOSFET器件，由MOSFET元胞(101)，N/N^-高低結(102)，N^-漂移區(103)，以及器件襯底(104)四部分組成；其結構特征是它在由MOSFET元胞(101)，N^-漂移區(103)，以及器件襯底(104)三部分組成的常規功率MOSFET器件的P-基區(2)與N^-漂移區(3)之間插入一個摻雜濃度比N^-漂移區摻雜濃度高得多但低于溝道區(7)中峰值濃度的N層(6)，它與N^-漂移層構成具有多子注入功能的N/N^-高低結J₄；當器件處于開態工作時，漏極電壓恰好使N/N^-高低結J₄處于正偏，它驅使靜態時形成的的高濃度電子積累層(19)中的可動電子和N層(6)中的高濃度可動電子同時向N^-漂移區(3)注入，增大N^-漂移區(3)的電導率，實現對N^-漂移區的多子電導調制，降低N^-漂移區的導通電阻，從而降低中、高壓功率MOSFET的總導通電阻。?

2.根據權利要求1所述的高低結多子電導調制功率MOSFET器件，其特征是所說的組成該器件之MOSFET元胞(101)部分的元胞，是溝槽柵結構的UMOS元胞，或是平面柵結構的DMOS元胞。?

3.根據權利要求2所述的高低結多子電導調制功率MOSFET器件，其特征是組成該器件之MOSFET元胞(101)部分的UMOS元胞或DMOS元胞的總體，是全部由有效元胞構成，或是由一部分有效元胞(MR)和一部分用絕緣層覆蓋而不與源電極相連的假元胞(DR)的組合構成。?

4.根據權利要求2所述的高低結多子電導調制功率MOSFET器件，其特征是組成該器件之UMOS元胞的總體，是全部由能夠感應出溝道的有效溝槽柵構成的元胞組成，或是由一部分有效溝槽柵和一部分柵電極與源電極短路的不能感應出溝道的假柵(15)組合的元胞組成。?

5.根據權利要求2所述的高低結多子電導調制功率MOSFET器件，其特征是所說的組成該器件之MOSFET元胞(101)部分的溝槽柵UMOS元胞中的N⁺源區(1)與P⁺基區(5)的短路接觸結構，是采用在溝槽柵結構之臺面中心制作基極接觸的短路接觸結構，或是采用N⁺源區(1)與P⁺基區(5)正交的基極接觸的短路接觸結構。?

6.根據權利要求1所述的高低結多子電導調制功率MOSFET器件，其特征是所說的組成該器件之N/N^-高低結(102)部分的結面與溝槽之槽底的相對位置關系，是溝槽之槽底不超過高低結結面而位于N層(6)之中的結構，或是溝槽之槽底超過高低結結面而位于N層(6)以下的結構。?

7.根據權利要求1所述的高低結多子電導調制功率MOSFET器件，其特征是所說的組成該器件之N^-漂移區(103)部分的N^-漂移區層(3)及其器件的制作，是在N⁺襯底(4)上用外延方法形成N^-漂移區層(3)，然后完成該器件其他部分的制作，或是直接采用N^-單晶硅作為高阻漂移區層(3)，在它上面完成N/N^-高低結和MOSFET元胞的制作，之后，完成背面的減薄、N⁺摻雜及金屬化的制作。?

8.根據權利要求1所述的高低結多子電導調制功率MOSFET器件，其特征是所說的組成該器件之器件襯底(104)部分，是單一的N⁺襯底(4)，或是N⁺(4)之面積大于P⁺(16)之面積的N⁺與P⁺交替的混合襯底。?