[實用新型]一種厚膜高頻微波衰減片

有效

• 申請號: 201320419945.8
• 申請日: 2013-07-15
• 公開（公告）號: CN203423240U
• 公開（公告）日: 2014-02-05
• 發明（設計）人: 徐勇軍;王利;陳啟玉;曹維常
• 申請（專利權）人: 安徽斯邁爾電子科技有限公司
• 主分類號: H01P1/22
• 分類號: H01P1/22
• 代理公司: 安徽合肥華信知識產權代理有限公司 34112
• 代理人: 方琦

技術領域：

本實用新型涉及衰減片加工技術，尤其涉及一種厚膜高頻微波衰減片。

背景技術：

衰減器是為使輸出端口提供的功率小于輸入端口的入射功率而設計的雙端口器件。

傳統的厚膜高頻微波衰減片一般采用單一的T性或Pi型電阻網絡，使用頻率低于3GHZ，因此，無法滿足在更高頻率領域內的精度，頻響，駐波比。

實用新型內容：

為了彌補現有技術問題，本實用新型的目的是提供一種厚膜高頻微波衰減片，提高了厚膜高頻微波衰減片在更高頻率領域內的精度，頻響，駐波比。

本實用新型的技術方案如下：

厚膜高頻微波衰減片，其特征在于：包括基片，基片上端面設有相對且平行放置的基板，基板之間放置有電阻，所述的電阻兩側的基片上放置有與基板平行的電極。

所述的厚膜高頻微波衰減片，其特征在于：所述的基片采用陶瓷基片。

所述的厚膜高頻微波衰減片，其特征在于：所述的電阻采用分布式電阻網絡結構。

所述的厚膜高頻微波衰減片，其特征在于：所述的基板、電阻、電極之間的基片空隙上設有膜狀的絕緣涂層。

本實用新型的優點是：

本實用新型從設計結構上對厚膜高頻微波衰減片進行了改進優化，提高了該產品的使用頻率，衰減精度更高，駐波比更小，頻響曲線更平坦。

附圖說明：

圖1為本實用新型的結構示意圖。

具體實施方式：

參見圖1：

厚膜高頻微波衰減片，包括基片1，基片1上端面設有相對且平行放置的基板2，基板2之間放置有電阻3，電阻3兩側的基片1上放置有與基板2平行的電極4，提高了該產品的使用頻率，衰減精度更高，駐波比更小，頻響曲線更平坦。

基片1采用陶瓷基片。

電阻3采用分布式集中電阻網絡結構。

基板2、電阻3、電極4之間的基片空隙上設有膜狀的絕緣涂層5。