[實用新型]全背電極太陽電池有效
| 申請號: | 201320419592.1 | 申請日: | 2013-07-16 |
| 公開(公告)號: | CN203339205U | 公開(公告)日: | 2013-12-11 |
| 發明(設計)人: | 陶龍忠;楊灼堅;其他發明人請求不公開姓名 | 申請(專利權)人: | 蘇州潤陽光伏科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18;H01L31/0224 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 215300 江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 電極 太陽電池 | ||
1.一種全背電極太陽電池,由n型硅片(21)、n型摻雜層一(22)、n型局域摻雜層二(221)、局域鋁摻雜陣列(291)、介電層一(25)、介電層二(24)、細柵金屬電極一(27)、細柵鋁電極(28)、主柵電極一及主柵電極二組成;n型摻雜層一(22)位于n型硅片受光表面(211),介電層一(25)覆蓋于n型摻雜層一(22)之上,n型局域摻雜層二(221)和局域鋁摻雜陣列(291)交替分布于n型硅片背光表面(212),介電層二(24)覆蓋于n型硅片背光表面(212)及n型局域摻雜層二(221)、局域鋁摻雜陣列(291)之上;細柵金屬電極一(27)位于介電層二(24)之上、與n型局域摻雜層二(221)對應的位置;細柵鋁電極(28)位于介電層二(24)之上、與局域鋁摻雜陣列(291)對應的位置;細柵金屬電極一(27)全部或局部穿透介電層二(24)、與n型局域摻雜層二(221)接觸;細柵鋁電極(28)位于局域鋁摻雜陣列(291)所在位置的介電層二(24)之上;主柵電極一和主柵電極二分別連接所有的細柵金屬電極一(27)和細柵鋁電極(28),其特征在于:細柵鋁電極(28)局部穿透介電層二(24),在細柵鋁電極(28)穿透介電層二(24)的位置、n型硅片背光表面(212)設有局域鋁摻雜層(29);多個由細柵鋁電極(28)間接相連的局域鋁摻雜層(29)組成局域鋁摻雜陣列(291)。
2.根據權利要求1所述的一種全背電極太陽電池,其特征在于:所述的局域鋁摻雜陣列(291)是由點狀、線狀或短線狀的多個由細柵鋁電極(28)間接相連的局域鋁摻雜層(29)排列組成;細柵鋁電極(28)穿透介電層二(24)的部分呈與上述局域鋁摻雜層(29)相對應的點狀、線狀或短線狀;上述線狀或短線狀局域鋁摻雜層(29)的寬度小于250微米;上述點狀局域鋁摻雜層(29)的直徑小于500微米。
3.根據權利要求1所述的一種全背電極太陽電池,其特征在于:所述的局域鋁摻雜陣列(291)的總面積不超過細柵鋁電極(28)面積的50%。
4.根據權利要求1所述的一種全背電極太陽電池,其特征在于:所述的介電層二(24)是帶有負束縛電荷的介質薄膜,其負束縛電荷密度大于2×1011cm-2。
5.根據權利要求1和4所述的一種全背電極太陽電池,其特征在于:所述的介電層二(24)是氧化鋁單層膜,或由氧化鋁與氮化硅、氧化硅、碳化硅、氧化鈦、氮氧化硅中的一種或多種所組成的多層膜。
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H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
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H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





