[實用新型]提高壓力傳感器檢測靈敏度裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201320418297.4
• 申請日: 2013-07-15
• 公開（公告）號: CN203414222U
• 公開（公告）日: 2014-01-29
• 發(fā)明（設計）人: 程知群;連心想;欒雅
• 申請（專利權(quán)）人: 杭州電子科技大學
• 主分類號: G01L9/08
• 分類號: G01L9/08
• 代理公司: 杭州求是專利事務所有限公司 33200
• 代理人: 杜軍

1.?提高壓力傳感器檢測靈敏度裝置，包括七個電源、彈道偏轉(zhuǎn)晶體管、兩個壓力傳感器，兩個電阻；

其特征在于：所述的彈道偏轉(zhuǎn)晶體管的右柵極、左漏極、右漏極分別與第一電源V_TD、第二電源V_LD、第三電源V_RD的正極連接，第一電源V_TD、第二電源V_LD、第三電源V_RD的負極接地，彈道偏轉(zhuǎn)晶體管的左柵極分別與第一電阻R_D1的一端和第一壓力傳感器FET1的漏極連接，第一電阻R_D1的另一端與第四電源V_DD1的正極連接，第四電源V_DD1的負極接地，第一壓力傳感器FET1的柵極與第五電源V_g1的正極連接，第五電源V_g1的負極接地，第一壓力傳感器FET1的源極接地，彈道偏轉(zhuǎn)晶體管的右漏極與第二電阻R_D2的一端、第二壓力傳感器FET2的漏極連接，第二電阻R_D2的另一端與第六電源V_DD2的正極連接，第六電源V_DD2的負極接地，第二壓力傳感器FET2的柵極與第七電源V_g2的正極連接，第七電源V_g2的負極接地，第二壓力傳感器FET2的源極接地。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提高壓力傳感器檢測靈敏度裝置，其特征在于：所述的第一壓力傳感器FET1的結(jié)構(gòu)為漏極、柵極、源極組成的電極層，依次往下為Al_0.27Ga_0.73N帽層、Al_0.27Ga_0.73N勢壘層、AlN隔離層、Al_0.04Ga_0.96N插入層、GaN緩沖層，硅襯底；

所述的GaN緩沖層厚度為2.5μm；

所述的Al_0.04Ga_0.96N插入層厚度為8nm；

所述的AlN隔離層厚度為1nm；

所述的Al_0.27Ga_0.73N勢壘層厚度為20nm；

所述的Al_0.27Ga_0.73N帽層厚度為2nm；

所述的柵極金屬為鎳或金，源極和漏極金屬分別為鈦、鋁、鎳、金中的一種，選擇器件的柵長為1μm，柵寬為100μm，柵極與源極、柵極與漏極之間距離都為1μm；

所述的于第一壓力傳感器的敏感膜下方的硅襯底上被挖除一長、寬各為100um的孔；

所述的第二壓力傳感器結(jié)構(gòu)與第一壓力傳感器區(qū)別在于第二壓力傳感器的硅襯底沒有被挖除。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提高壓力傳感器檢測靈敏度裝置，其特征在于：所述的彈道偏轉(zhuǎn)晶體管有六個電極，分別為頂部漏極、左漏極、右漏極、左柵極、右柵極、源極，電極依次往下是GaN蓋層、AlGaN勢壘層、GaN緩沖層、AlN成核層，硅襯底；

所述的AlN成核層厚度為10nm；

所述的GaN緩沖層厚度為2.5μm；

所述的AlGaN勢壘層厚度為20nm；

所述的GaN蓋層厚度為2nm；

所述的柵極金屬為鎳或金，源極和漏極金屬分別為鈦、鋁、鎳、金中的一種，

在外延層上進行光刻腐蝕，刻蝕深度在70nm，制作出彈道偏轉(zhuǎn)晶體管；頂漏極開口寬度30nm，三角溝道的寬度50nm，源極溝道寬度70nm，左右漏極與三角溝道的間距50nm，三角溝道距頂部漏極開口處距離10nm，三角溝道的高度60nm，溝道邊緣與三角溝道的間距40nm，左、右漏極的開口寬度70nm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提高壓力傳感器檢測靈敏度裝置，其特征在于：所述的電阻R_D1和R_D2采用50歐姆的Ni/Cr電阻。