[實用新型]一種基于L-半胱氨酸檢測汞離子的傳感芯片

有效

• 申請號: 201320416448.2
• 申請日: 2013-07-15
• 公開（公告）號: CN203337597U
• 公開（公告）日: 2013-12-11
• 發明（設計）人: 曹忠;曹婷婷;吳玲;肖忠良;宋天銘;黃大凱
• 申請（專利權）人: 長沙理工大學
• 主分類號: G01N27/26
• 分類號: G01N27/26
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種基于L-半胱氨酸檢測汞離子的傳感芯片，其特征是：該傳感芯片包括一個L-半胱氨酸膜層（16）修飾的金膜基片（1），該金膜基片（1）的金層一角與外包有塑料絕緣層（3）的金屬絲導線（2）相連接，連接處用環氧樹脂膠（4）包裹密封。

2.根據權利要求1所述的傳感芯片，其特征是：所述金膜基片（1）是在拋光的氮化硅基板（11）上逐步濺射沉積SiO₂膜層（12）、金屬鉻膜層（13）、銅鎳合金膜層（14）、金膜層（15），金膜層（15）經化學清洗處理后再在其表面上組裝修飾L-半胱氨酸膜層（16）。

3.根據權利要求1所述的傳感芯片，其特征是：所述金膜基片（1）的形狀為正方形，其邊長為6~12mm。

4.根據權利要求1所述的傳感芯片，其特征是：所述金屬絲導線（2）的材料為銅絲、鋁絲或銀絲。

5.根據權利要求2所述的傳感芯片，其特征是：在拋光的氮化硅基板（11）上逐步濺射沉積的SiO₂膜層（12）的厚度為80~380nm，金屬鉻膜層（13）的厚度為20—60nm，銅鎳合金膜層（14）的厚度為80~380nm。

6.根據權利要求2所述的傳感芯片，其特征是：銅鎳合金膜層（14）經拋光處理后，在其表面上所沉積金膜層（15）的厚度為120~400nm。

7.根據權利要求2所述的傳感芯片，其特征是：金膜層（15）經化學清洗處理后，在其表面上所組裝修飾L-半胱氨酸膜層（16）的量為5~60ug。