[實(shí)用新型]一種檢測(cè)汞離子的傳感芯片

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201320416419.6
• 申請(qǐng)日: 2013-07-15
• 公開（公告）號(hào): CN203337596U
• 公開（公告）日: 2013-12-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 曹忠;曹婷婷;吳玲;肖忠良;黃大凱;宋天銘
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 長(zhǎng)沙理工大學(xué)
• 主分類號(hào): G01N27/26
• 分類號(hào): G01N27/26;G01N27/30
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種檢測(cè)汞離子的傳感芯片，其特征是：該傳感芯片包括一個(gè)11-巰基十一烷酸膜層（16）修飾的金膜基片（1），該金膜基片（1）的金層一角與外包有塑料絕緣層（3）的金屬絲導(dǎo)線（2）相連接，連接處用環(huán)氧樹脂膠（4）包裹密封。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的傳感芯片，其特征是：所述金膜基片（1）是在拋光的氮化硅基板（11）上逐步濺射沉積SiO₂膜層（12）、金屬鈦膜層（13）、銅錫合金膜層（14）、金膜層（15），金膜層（15）經(jīng)化學(xué)清洗處理后再在其表面上組裝修飾11-巰基十一烷酸膜層（16）。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的傳感芯片，其特征是：所述金膜基片（1）的形狀為正方形，其邊長(zhǎng)為6~12mm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的傳感芯片，其特征是：所述金屬絲導(dǎo)線（2）的材料為銅絲、鋁絲或銀絲。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的傳感芯片，其特征是：在拋光的氮化硅基板（11）上逐步濺射沉積的SiO₂膜層（12）的厚度為80~380nm，金屬鈦膜層（13）的厚度為20—80nm，銅錫合金膜層（14）的厚度為80~380nm。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的傳感芯片，其特征是：銅錫合金膜層（14）經(jīng)拋光處理后，在其表面上所沉積金膜層（15）的厚度為120~400nm。

7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的傳感芯片，其特征是：金膜層（15）經(jīng)化學(xué)清洗處理后，在其表面上所組裝修飾11-巰基十一烷酸膜層（16）的量為5~50ug。