[實用新型]一種能提高數據線關鍵尺寸均勻性的掩膜板及陣列基板有效
| 申請號: | 201320414732.6 | 申請日: | 2013-07-12 |
| 公開(公告)號: | CN203337996U | 公開(公告)日: | 2013-12-11 |
| 發明(設計)人: | 劉耀;丁向前;李梁梁;白金超;趙亮;劉曉偉;郭總杰 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司;北京京東方顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | G03F1/00 | 分類號: | G03F1/00 |
| 代理公司: | 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 提高 數據線 關鍵 尺寸 均勻 掩膜板 陣列 | ||
技術領域
本實用新型涉及光刻技術領域,尤其涉及一種能提高數據線最終關鍵尺寸均勻性的掩膜板以及應用該掩膜版所制備出來的陣列基板。
背景技術
掩膜板作為陣列基板制備過程中的一種重要裝置,用于將掩膜板上的掩膜圖形信息通過構圖工藝轉移到陣列基板上形成陣列基板的各結構單元。
舉例來說,如圖1所示,圖1為一種現有技術掩膜板的示意圖,其中該掩膜板中包括用于形成數據線的數據線掩膜圖形1以及用于形成連接線的連接線掩膜圖形2。需要注意的是,在現有技術掩膜板中數據線掩膜圖形的線寬是均一的。即對于任意一個數據線掩膜圖形而言,該數據線掩膜圖形中各位置的線條寬度均相同。
現有技術掩膜板設計了線寬均一的數據線掩膜圖形,其目的是為了通過曝光刻蝕顯影等一系列構圖工藝后形成線寬均一的數據線。然而,在制備數據線的過程中,發明人發現利用現有技術掩膜板并不能得到線寬均一的數據線。分析導致上述問題的原因:由于連接線的存在,且連接線中包括有金屬材料,導致近連接線區域內金屬的密度大于遠連接線區域內金屬的密度。在此首先對近連接線區域和遠連接線區域進行一下解釋,具體的,以某一像素區域為例,根據像素區域與連接線的距離關系,將像素區域劃分近連接線區域和遠連接線區域。其中近連接線區域為距離連接線不大于1/4像素區域寬度的區域范圍,遠連接線區域為像素區域內除近連接線區域之外的區域范圍。對近連接線區域與遠連接線的劃分可參考圖1,圖1中A區域為近連接線區域,B區域為遠連接線區域。
進一步的,通過刻蝕工藝在基板上形成數據線與連接線時,由于近連接線區域內金屬的密度大于遠連接線區域內金屬的密度,因此近連接線區域消耗的刻蝕液要比遠連接線區域消耗的刻蝕液少,也就是說近連接線區域刻蝕液的濃度會偏高,此時偏高的刻蝕液會多刻蝕掉一部分近連接線區域內的金屬,最終造成生成的近連接線區域的數據線比預設的數據線偏細。同樣道理,在曝光顯影過程中,以正性光刻膠為例,由于近連接線區域內剩余正性光刻膠要多于遠連接線區域內剩余的正性光刻膠,因此在曝光顯影過程中近連接線區域內消耗的顯影液較遠連接線區域內消耗的顯影液少,也就是說近連接線區域顯影液的濃度會偏高,最終造成近連接線區域的數據線上方的保護光刻膠比預設值少,進一步也加重了近連接線區域的數據線比預設的數據線偏細情況的發生。
發明內容
本實用新型的實施例提供一種能提高數據線最終關鍵尺寸均勻性的掩膜板,該掩膜板用于生成均一性效果較好的數據線。
為解決上述技術問題,本實用新型的實施例采用如下技術方案:
一種能提高數據線最終關鍵尺寸均勻性的掩膜板,所述掩膜板中包括用于形成數據線的數據線掩膜圖形,對應于陣列基板上近連接線區域內的所述數據線掩膜圖形的寬度大于預設的所述數據線掩膜圖形的寬度,對應于陣列基板上遠連接線區域內的所述數據線掩膜圖形的寬度等于預設的所述數據線掩膜圖形的寬度。
進一步的,近連接線區域內的所述數據線掩膜圖形的寬度比預設的所述數據線掩膜圖形的寬度寬0.5um~0.7um。
進一步的,所述掩膜板還包括用于形成連接線的連接線掩膜圖形。
另一方面,本實用新型還提供了一種陣列基板,應該上述任意項所述掩膜板制備所述陣列基板的數據線,所述陣列基板近連接線區域內數據線的寬度與所述陣列基板遠連接線區域內數據線的寬度相等,都等于預設數據線的寬度。
本實用新型實施例提供的一種能提高數據線最終關鍵尺寸均勻性的掩膜板,該掩膜板中近連接線區域內的數據線掩膜圖形的寬度大于預設的數據線掩膜圖形的寬度,遠連接線區域內的數據線掩膜圖形的寬度等于預設的數據線掩膜圖形的寬度,從而抵消生產工藝對近連接線區域內數據線過度刻蝕的效果,能夠提高生成數據線的均一性,增強生成數據線的輸出以及工作能力。
附圖說明
為了更清楚地說明本實用新型實施例或現有技術中的技術方案,下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅是本實用新型的一些實施例,對于本領域普通技術人員來講,在不付出創造性勞動的前提下,還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。
圖1為現有技術的掩膜板示意圖;
圖2為本實用新型實施例的掩膜板示意圖之一;
圖3為本實用新型實施例的掩膜板示意圖之二;
圖4為本實用新型實施例的掩膜板示意圖之三。
具體實施方式
本實用新型提供一種能提高數據線最終關鍵尺寸均勻性的掩膜板,該掩膜板用于生成均一性效果較好的數據線。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學臨近校正(OPC)設計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準或測試的特殊涂層或標記;其制備





