[實(shí)用新型]硅晶片電阻率測(cè)量裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201320413695.7
• 申請(qǐng)日: 2013-07-12
• 公開（公告）號(hào): CN203455409U
• 公開（公告）日: 2014-02-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 沈宇平
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 蘇州博昇科技有限公司
• 主分類號(hào): G01R27/02
• 分類號(hào): G01R27/02
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種硅晶片電阻率測(cè)量裝置，其特征在于，所述測(cè)量裝置包括：支架，信號(hào)處理器，高頻振蕩器，所述支架上方設(shè)有第一探頭，所述支架下方設(shè)有第二探頭，所述第一探頭和第二探頭分別與所述高頻振蕩器連接，還包括驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)，用于調(diào)整第一探頭與第二探頭間相互距離，所述驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)與所述第一探頭或第二探頭連接，所述第一探頭和第二探頭分別與所述信號(hào)處理器連接。

2.如權(quán)利要求1所述的測(cè)量裝置，其特征在于，所述支架的上方設(shè)有對(duì)中裝置，用于調(diào)整硅晶片的位置。

3.如權(quán)利要求1所述的測(cè)量裝置，其特征在于，所述第一探頭與所述第二探頭共軸線。

4.如權(quán)利要求1所述的測(cè)量裝置，其特征在于，所述信號(hào)處理器具有顯示薄層電阻或電阻率的功率，當(dāng)使硅晶片插入時(shí)應(yīng)具有電導(dǎo)清零的功能。

5.如權(quán)利要求1所述的測(cè)量裝置，其特征在于：所述第一探頭和第二探頭為一對(duì)渦流探頭，所述探頭的相對(duì)距離的變化可由驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)精確控制到微米量級(jí)。

6.如權(quán)利1所要求的測(cè)量裝置，其特征在于：所述的高頻振蕩器在優(yōu)化測(cè)量的頻率范圍內(nèi)可以變頻測(cè)量。