[實用新型]一種LED芯片

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201320409434.8
• 申請日: 2013-07-09
• 公開（公告）號: CN203423213U
• 公開（公告）日: 2014-02-05
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 祝進(jìn)田
• 申請（專利權(quán)）人: 佛山市國星半導(dǎo)體技術(shù)有限公司
• 主分類號: H01L33/38
• 分類號: H01L33/38
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 王寶筠

1.一種LED芯片，其特征在于，包括，

襯底；

位于所述襯底之下的第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層，所述第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層表面包括第一子表面和第二子表面，其中，所述第二子表面位于所述第一子表面的外圍；

位于所述第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層的第一子表面之下的有源層；

位于所述第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層的第二子表面的第一電極，所述第一電極與所述有源層之間存在第一間隔；

位于所述有源層之下的第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層；

位于所述第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層之下的第二電極；

其中，所述第一電極在所述第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層上的投影圍繞所述第二電極在所述第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層上的投影；

其中，所述第一導(dǎo)電類型與所述第二導(dǎo)電類型相反，所述第一電極和所述第二電極的極性相反。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述第一電極的形狀為閉合曲線。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的LED芯片，其特征在于，所述第一電極為環(huán)形電極。

4.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一項所述的LED芯片，其特征在于，所述第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層的第一子表面包括第一區(qū)域和第二區(qū)域，所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域之間存在第二間隔，在所述第二間隔的表面上形成有第三電極；其中，所述第三電極不完全覆蓋所述第二間隔的表面，且所述第三電極的極性與所述第一電極的極性相同；

所述第二電極位于所述第一區(qū)域之下的第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層的上方。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的LED芯片，其特征在于，還包括，

覆蓋所述第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層和所述第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層的絕緣層，并且所述第一電極、所述第二電極以及所述第三電極的表面未被所述絕緣層覆蓋；

位于所述第一電極和所述第三電極表面之下的第一金屬層；

位于所述第二電極表面之下的第二金屬層；

位于部分所述絕緣層之下的第三金屬層，所述部分所述絕緣層覆蓋所述第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層的第一子表面的第二區(qū)域之下的區(qū)域；

其中，所述第一金屬層和所述第三金屬層電連接，所述第二金屬層與所述第一金屬層和所述第三金屬層之間絕緣隔開。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的LED芯片，其特征在于，所述第二金屬層的表面和所述第三金屬層的表面處于同一基準(zhǔn)面上。

7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的LED芯片，其特征在于，所述第二間隔位于所述第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層的中間。

8.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一項所述的LED芯片，其特征在于，所述LED芯片結(jié)構(gòu)為倒裝結(jié)構(gòu)或正裝結(jié)構(gòu)。

9.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一項所述的LED芯片，其特征在于，所述襯底和所述第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層之間還包括緩沖層。

10.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一項所述的LED芯片，其特征在于，所述第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層為N型半導(dǎo)體層，所述第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層為P型半導(dǎo)體層，所述第一電極為N型電極，所述第二電極為P型電極。