[實(shí)用新型]一種用熱絲法制備TiC涂層的高溫化學(xué)氣相沉積裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201320404896.0 | 申請(qǐng)日: | 2013-07-09 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN203346470U | 公開(kāi)(公告)日: | 2013-12-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 胡東平;劉偉;李建國(guó);季錫林 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 中國(guó)工程物理研究院總體工程研究所;四川中物超硬材料有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | C23C16/32 | 分類(lèi)號(hào): | C23C16/32;C23C16/44 |
| 代理公司: | 北京天奇智新知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11340 | 代理人: | 楊春 |
| 地址: | 621908*** | 國(guó)省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 用熱絲 法制 tic 涂層 高溫 化學(xué) 沉積 裝置 | ||
1.一種用熱絲法制備TiC涂層的高溫化學(xué)氣相沉積裝置,包括進(jìn)氣系統(tǒng)和真空系統(tǒng),所述真空系統(tǒng)包括真空腔體和耐酸機(jī)械泵,所述耐酸機(jī)械泵的出口與所述真空腔體的第一進(jìn)口連接,所述進(jìn)氣系統(tǒng)包括氫氣瓶、甲烷瓶、四氯化鈦密封瓶和混氣室,所述氫氣瓶的出口、所述甲烷瓶的出口和所述四氯化鈦密封瓶的出口分別與所述混氣室的進(jìn)口連接,所述混氣室的出口與所述真空腔體的第二進(jìn)口連接,其特征在于:所述進(jìn)氣系統(tǒng)還包括氬氣瓶,所述氬氣瓶的出口與所述四氯化鈦密封瓶進(jìn)口連接,所述真空腔體內(nèi)設(shè)置有加熱鎢絲。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用熱絲法制備的TiC涂層的高溫化學(xué)氣相沉積裝置,其特征在于:所述加熱鎢絲為多根且并列排列,所述加熱鎢絲的兩端分別搭接在兩個(gè)電極上,所述電極外接有直流電源。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種用熱絲法制備的TiC涂層的高溫化學(xué)氣相沉積裝置,其特征在于:所述電極為內(nèi)裝冷卻循環(huán)水的不銹鋼管。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用熱絲法制備的TiC涂層的高溫化學(xué)氣相沉積裝置,其特征在于:所述真空腔體內(nèi)壁底部設(shè)置有可旋轉(zhuǎn)、升降的工件盤(pán)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用熱絲法制備的TiC涂層的高溫化學(xué)氣相沉積裝置,其特征在于:所述氫氣瓶的出口上設(shè)置有氫流量控制器,所述甲烷瓶的出口上設(shè)置有甲烷流量控制器。
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C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過(guò)氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應(yīng)產(chǎn)物不留存于鍍層中的化學(xué)鍍覆,例如化學(xué)氣相沉積
C23C16-01 .在臨時(shí)基體上,例如在隨后通過(guò)浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無(wú)機(jī)材料為特征的





