[實用新型]一種用于晶硅太陽能電池背拋光的堿槽結構

有效

• 申請號: 201320401187.7
• 申請日: 2013-07-08
• 公開（公告）號: CN203312350U
• 公開（公告）日: 2013-11-27
• 發明（設計）人: 李茂林;涂宏波;王學林;劉自龍;李仙德;陳康平;金浩
• 申請（專利權）人: 浙江晶科能源有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18
• 代理公司: 浙江杭州金通專利事務所有限公司 33100
• 代理人: 吳關炳

技術領域

本實用新型屬于晶體硅太陽能電池制造領域，特別是涉及一種實現硅太陽能電池生產中單面背拋光的濕法刻蝕設備中的堿槽結構。

背景技術

常規晶體硅太陽能電池生產中，會在電池片背面印刷鋁背場，以達到鈍化和提高背面光反射率的效果。如果在鋁背場印刷前對硅片背面進行拋光處理，就可以形成平坦的背表面，有利于形成更均勻的背場和提高光反射率，從而減少背表面的復合和增加光譜響應，提高太陽能電池的轉換效率。

目前在硅太陽能電池中，通過濕法刻蝕工序實現背拋光是一個很好的選擇。以kuttler刻蝕設備為例，采用鏈式濕法刻蝕的主要流程及目的為:?（1）硅片經過HF去除正面和背面的磷硅玻璃，使硅片達到疏水的效果。（2）硅片漂浮在HF/HNO₃的水溶液上，實現邊緣和背面PN結的去除，同時達到一定的背拋光的效果；（3）KOH或NaOH溶液去除硅片表面的多孔硅，并中和硅片上的酸液；（4）HF酸去除硅片的氧化層。

盡管目前的這種濕法刻蝕能起到一定的背拋光作用，但其拋光的效果仍需要進一步的提高。利用刻蝕設備的堿槽對硅片進行進一步的背拋光，是提高背拋光效果的一種簡單易行的較理想的方法。因此，亟須發明一種新堿槽結構，以實施新的工藝使目前濕法刻蝕的背拋光效果進一步完善。

發明內容

本實用新型是基于目前的濕法刻蝕的基礎上，提供一種在硅太陽能電池生產中，實現背拋光的新堿槽結構，利用該堿槽能夠在不影響硅片正面的情況下，實現太陽能電池生產中背拋光的目標，操作簡單，效果優越。

本實用新型解決技術問題所采用的技術方案是：一種用于晶硅太陽能電池背拋光的堿槽結構，其包括浸泡區和噴淋區，所述浸泡區上部為浸泡區上槽體，下部設有浸泡區下槽體，所述噴淋區上部為噴淋區上槽體，下部設有噴淋區下槽體，所述噴淋區上槽體上部設有噴淋堿刀，所述浸泡區的兩端設有堿液回流槽；所述堿液回流槽與浸泡區下槽體之間設有液流通道，所述噴淋區上槽體與噴淋區下槽體之間設有液流通道；所述浸泡區設有用于將浸泡區下槽體的液體輸送到浸泡區上槽體的液體輸送泵；所述噴淋區設有用于將噴淋區下槽體的液體輸送到噴淋區噴淋堿刀的液體輸送泵；所述浸泡區上槽體、噴淋區上槽體和堿液回流槽的上部均設有輥輪；所述堿液回流槽還設有風刀。

作為一種優選，在所述浸泡區下槽體和噴淋區下槽體內均分別設有加熱裝置和冷卻裝置。

作為一種優選，所述浸泡區的長度為0.5?m~1.5?m，所述噴淋區的長度為0.2?m~1.0?m。

本實用新型提供了一種新的濕法刻蝕設備的堿槽的設計方案，從而實現了利用堿槽進行背拋光的目標。實際運行時，在浸泡區，硅片漂浮在堿液（濃度為30%，溫度為50℃）上，在輥輪的傳動下向前“漂”，到達堿液回流槽時，風刀將硅片背面的堿液吹落并風干，吹落的堿液從堿液回流槽經液流通道回流至浸泡區下槽體，同時，浸泡區上槽體的堿液可以通過溢流，漫過兩邊的擋板，進入兩端的堿液回流槽，經液流通道流到浸泡區下槽體；而在浸泡區下槽體的堿液經濃度溫度的控制調整，通過液體輸送泵補充至浸泡區上槽體，使藥液得到不斷的循環；硅片經堿液回流槽風干后，進一步被輥輪輸送到噴淋區，接受噴淋堿刀堿液（濃度為5%，溫度為20℃）噴淋，噴淋區上槽體的堿液通過液流通道緩慢流到噴淋區下槽體，而在噴淋區下槽體的堿液經濃度溫度的控制調整，通過液體輸送泵輸送至噴淋區噴淋堿刀。

本實用新型巧妙的將堿槽分成浸泡區和噴淋區兩個獨立的部分，可分別控制堿液的溫度和濃度，以及補水和添加藥液。另一方面，在浸泡區硅片通過“水上漂”的方式，在較高溫度和濃度的堿液的作用下實現單面背拋光；噴淋區則控制相對較低的溫度和濃度，更全面的對硅片的上下表面噴淋去除多孔硅。

附圖說明

圖1為本實用新型一種實施方式剖面示意圖。

具體實施方式