[實(shí)用新型]具有布拉格反射層的倒裝芯片發(fā)光二級(jí)管有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201320400551.8 | 申請(qǐng)日： | 2013-07-05 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN203445144U | 公開(kāi)（公告）日： | 2014-02-19 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 王冬雷;莊燦陽(yáng);朱國(guó)棟 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人： | 大連德豪光電科技有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào)： | H01L33/46 | 分類(lèi)號(hào)： | H01L33/46 |
| 代理公司： | 廣東秉德律師事務(wù)所 44291 | 代理人： | 楊煥軍 |
| 地址： | 116100 遼寧省大*** | 國(guó)省代碼： | 遼寧;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 具有 布拉格 反射層 倒裝 芯片 發(fā)光 二級(jí) | ||
1.具有布拉格反射層的倒裝芯片發(fā)光二極管，包括：
襯底材料；
形成于所述襯底材料上的N型層、發(fā)光層和P型層；
形成于所述N型層上的N電極；
其特征在于：
所述P型層上形成有多個(gè)分散設(shè)置的P電極；
在所述P型層表面設(shè)置布拉格反射層，所述P電極凸出于所述布拉格反射層并在所述布拉格反射層表面形成凸點(diǎn)。
2.如權(quán)利要求1所述的具有布拉格反射層的倒裝芯片發(fā)光二極管，其特征在于：所述P電極呈同心圓環(huán)陣列形式排列。
3.如權(quán)利要求2所述的具有布拉格反射層的倒裝芯片發(fā)光二極管，其特征在于：所述N電極位于所述芯片的幾何中心。
4.如權(quán)利要求1所述的具有布拉格反射層的倒裝芯片發(fā)光二極管，其特征在于：所述P電極呈矩陣形式排列。
5.如權(quán)利要求4所述的具有布拉格反射層的倒裝芯片發(fā)光二極管，其特征在于：所述N型層上形成有4個(gè)分散設(shè)置的N電極，所述4個(gè)N電極分別位于所述芯片的四個(gè)角位置。
6.如權(quán)利要求1所述的具有布拉格反射層的倒裝芯片發(fā)光二極管，其特征在于：還包括用于連接所述多點(diǎn)設(shè)置的P電極的電極連接層，所述電極連接層位于所述布拉格反射層表面。
7.如權(quán)利要求6所述的具有布拉格反射層的倒裝芯片發(fā)光二極管，其特征在于：所述電極連接層為金屬連接層。
8.如權(quán)利要求6所述的具有布拉格反射層的倒裝芯片發(fā)光二極管，其特征在于：所述電極連接層為封裝基板線路層。
9.如權(quán)利要求7所述的具有布拉格反射層的倒裝芯片發(fā)光二極管，其特征在于：還包括位于所述P電極和N電極之間的絕緣層，形成P、N雙電極焊接結(jié)構(gòu)。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L33-00 至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的專(zhuān)門(mén)適用于光發(fā)射的半導(dǎo)體器件；專(zhuān)門(mén)適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或設(shè)備；這些半導(dǎo)體器件的零部件
H01L33-02 .以半導(dǎo)體為特征的
H01L33-36 .以電極為特征的
H01L33-44 .以涂層為特征的，例如鈍化層或防反射涂層
H01L33-48 .以半導(dǎo)體封裝體為特征的
H01L33-50 ..波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換元件
