[實(shí)用新型]采用增強(qiáng)型PMOSFET檢查電極的踩踏式報(bào)警器

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201320399451.8
• 申請(qǐng)日: 2013-07-06
• 公開（公告）號(hào): CN203311557U
• 公開（公告）日: 2013-11-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 曾藝
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 楊苗
• 主分類號(hào): G08B13/10
• 分類號(hào): G08B13/10
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及一種踩踏式防盜報(bào)警裝置，特別是一種能夠自動(dòng)檢查行、列電極狀態(tài)的踩踏式報(bào)警器。

背景技術(shù)

“防寵物踩踏式報(bào)警器及其輪廓法測(cè)量面積區(qū)分腳型的方法”（申請(qǐng)?zhí)枺?01010228515.9，申請(qǐng)公布號(hào)：CN?102339513?A，申請(qǐng)公布日：2012.02.01）公布了一種踩踏式報(bào)警器，但它并沒有考慮檢查電極的狀態(tài)。根據(jù)該踩踏式報(bào)警器的結(jié)構(gòu)，可以對(duì)行電極與列電極分別進(jìn)行檢查，也可以安排電子開關(guān)把行電極與列電極構(gòu)成串聯(lián)通路同時(shí)檢查行、列電極。常用的電子開關(guān)常常由分立元件三極管、場(chǎng)效應(yīng)管構(gòu)成，還可以模擬電子開關(guān)CD4066、CD4007等集成電路擔(dān)當(dāng)，甚至微小型化的電磁鐵、繼電器等開關(guān)元器件也可以用于踩踏式報(bào)警器檢查電極。而且，踩踏式報(bào)警器應(yīng)用了單片機(jī)，即使對(duì)于同一種電子開關(guān)，也可以設(shè)計(jì)出若干個(gè)各具特點(diǎn)的同時(shí)檢查行、列電極的方案。

發(fā)明內(nèi)容

本實(shí)用新型提供一種采用增強(qiáng)型PMOSFET檢查電極的踩踏式報(bào)警器，它利用增強(qiáng)型PMOSFET把行電極與列電極逐根串聯(lián)起來，能夠檢測(cè)（行、列）電極發(fā)生斷線、同組電極出現(xiàn)粘連以及行電極與列電極發(fā)生交叉粘連三類電極狀態(tài)，此外，相鄰行電極粘連不會(huì)反向影響串入并出電路的輸出口。

本實(shí)用新型解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是：它包括一個(gè)踩踏式報(bào)警器、一組二極管、一組下拉電阻、一個(gè)柵極偏置電阻以及一組增強(qiáng)型PMOSFET；其中，踩踏式報(bào)警器包括列電極組、行電極組、單片機(jī)系統(tǒng)、串入并出電路、并入串進(jìn)電路、音樂電路以及電源，列電極組和行電極組被分別安排在一個(gè)長方形框架的上部和底部，由該框架的兩側(cè)絕緣隔離并支撐著，每一組電極由彼此獨(dú)立、間距均勻、裸露的導(dǎo)線組成，兩組導(dǎo)線排列的方向相互垂直，單片機(jī)系統(tǒng)包括一塊單片機(jī)及其晶振電路和上電復(fù)位電路、程序存儲(chǔ)器以及隨機(jī)存儲(chǔ)器，單片機(jī)的輸出口線P3.7連接到音樂電路的輸入端，串入并出電路的時(shí)鐘輸入端與串行數(shù)據(jù)輸入端、并入串進(jìn)電路的時(shí)鐘輸入端與數(shù)據(jù)預(yù)置端各自連接到單片機(jī)的一根輸出口線，并入串進(jìn)電路的串行數(shù)據(jù)輸出端連接到單片機(jī)的一根輸入口線，電源供電各部分電路；串入并出電路的每個(gè)并行輸出端依次經(jīng)過一個(gè)二極管、一根行電極以后再與一個(gè)下拉電阻以及一個(gè)增強(qiáng)型PMOSFET的柵極并聯(lián)，這些增強(qiáng)型PMOSFET的漏極依序與各根列電極一一連接，列電極的另一端依序連接到并入串進(jìn)電路的各個(gè)并行輸入端，還各自連接一個(gè)下拉電阻，這些增強(qiáng)型PMOSFET的的源極都連接到一個(gè)增強(qiáng)型PMOSFET的漏極，該個(gè)PMOSFET的柵極連接到單片機(jī)的一根輸出口線P3.0，它的源極連接到電源電壓，它的柵極與源極之間并聯(lián)有柵極偏置電阻。

需要檢查電極狀態(tài)的時(shí)候，單片機(jī)的一根輸出口線P3.0由高電平變成低電平，使得柵極與P3.0連接著的那個(gè)增強(qiáng)型PMOSFET導(dǎo)通，該導(dǎo)通的PMOSFET供給其余的增強(qiáng)型PMOSFET的源極以電源電壓。這時(shí)，串入并出電路逐根行電極輸出一個(gè)高電平，該高電平的行掃描信號(hào)經(jīng)過一個(gè)二極管逐個(gè)截止與行電極連接著的那些增強(qiáng)型PMOSFET，該截止的PMOSFET的漏極不能夠提供高電平給與其連接著的列電極，而其余的PMOSFET由于它們的柵極各自連接有一個(gè)下拉電阻，因此均導(dǎo)通，它們的漏極提供高電平給與其連接著的那些列電極。單片機(jī)檢測(cè)并入串進(jìn)電路輸出的串行信號(hào)，分析得到行、列電極的狀態(tài)：1）與行掃描信號(hào)的產(chǎn)生順序?qū)?yīng)，依次出現(xiàn)低電平，說明行、列電極都完好；2）全部表現(xiàn)為高電平，說明與行掃描信號(hào)順序?qū)?yīng)的那根行電極斷了線；3）出現(xiàn)連續(xù)的兩個(gè)低電平，說明與行掃描信號(hào)順序?qū)?yīng)的那兩根行電極出現(xiàn)粘連；4）出現(xiàn)非對(duì)應(yīng)著行掃描信號(hào)順序的低電平，說明與此順序?qū)?yīng)的那根列電極斷了線；5）與行掃描信號(hào)的產(chǎn)生順序?qū)?yīng)，該出現(xiàn)低電平的列電極上表現(xiàn)為高電平，說明該列電極與相鄰列電極發(fā)生粘連。依據(jù)上述分析可以判斷復(fù)雜一些的電極情況。

例行警戒踩踏工作的時(shí)候，單片機(jī)的輸出口線P3.0保持高電平，使得柵極與P3.0連接著的那個(gè)增強(qiáng)型PMOSFET處于截止?fàn)顟B(tài)，該截止著的PMOSFET截?cái)嗔斯┙o其余的增強(qiáng)型PMOSFET的源極以電源電壓的通路，保證這些PMOSFET的漏極不影響各根列電極上的電平。此時(shí)也可以分析行、列電極是否發(fā)生交叉粘連。

本實(shí)用新型的有益效果是：為了同時(shí)檢查行、列電極，又不影響警戒踩踏的工作，讓串入并出電路逐根行電極輸出的行掃描信號(hào)逐根行電極控制一個(gè)增強(qiáng)型PMOSFET供給一根列電極以高電平，而這些增強(qiáng)型PMOSFET的源極的工作電壓由額外的一個(gè)增強(qiáng)型PMOSFET供給，后者受單片機(jī)的一根輸出口線P3.0的控制，技術(shù)新穎、實(shí)用。