[實用新型]用于60吉赫茲片上天線的井字形人工磁導(dǎo)體有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201320398823.5 | 申請日： | 2013-07-05 |
| 公開（公告）號： | CN203312289U | 公開（公告）日： | 2013-11-27 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 耿衛(wèi)東;宋芃霖 | 申請（專利權(quán)）人： | 南開大學(xué) |
| 主分類號： | H01L23/552 | 分類號： | H01L23/552;H01L23/66;H01Q1/22 |
| 代理公司： | 天津佳盟知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 12002 | 代理人： | 侯力 |
| 地址： | 300071*** | 國省代碼： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 用于 60 赫茲 天線 字形 人工 導(dǎo)體 | ||
1.一種用于60吉赫茲片上天線的井字形人工磁導(dǎo)體，其特征在于該人工磁導(dǎo)體包括：
硅襯底、氧化硅緩沖層、金屬層、氧化硅絕緣層和功能電路層，從下到上依次堆疊制成；硅襯底位于下面，其上面覆蓋一層氧化硅緩沖層，在氧化硅緩沖層上面為一層具有分布式井字形結(jié)構(gòu)陣列的金屬層，在金屬層上面覆蓋一層氧化硅絕緣層，氧化硅絕緣層的上面為功能電路層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的人工磁導(dǎo)體，其特征在于，所述的金屬層劃分為N×N個單元，各單元之間間隔55微米，每一個單元都是以200微米為邊長的正方形，正方形的中間部位具有一個井字形開槽，每一個井字形開槽由四條條狀槽線相互交叉形成，每一個條狀槽線長80微米，寬5微米，每兩條平行的槽線之間的距離為30微米。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的人工磁導(dǎo)體，其特征在于，所述的硅襯底厚度在280微米到320微米范圍時，滿足所述的人工磁導(dǎo)體中心頻率60吉赫茲，帶寬20吉赫茲的參數(shù)要求。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的人工磁導(dǎo)體，其特征在于，所述的氧化硅絕緣層厚度為1.3微米。
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