[實用新型]一種集電極開路輸出類電路的版圖結構

有效

• 申請號: 201320397976.8
• 申請日: 2013-07-05
• 公開（公告）號: CN203445113U
• 公開（公告）日: 2014-02-19
• 發明（設計）人: 王雷;王勇;鄧些鵬;劉冠春
• 申請（專利權）人: 中國航天科技集團公司第九研究院第七七一研究所
• 主分類號: H01L23/552
• 分類號: H01L23/552
• 代理公司: 西安通大專利代理有限責任公司 61200
• 代理人: 徐文權

1.一種集電極開路輸出類電路的版圖結構，其特征在于，包括集電極開路島和非集電極開路島；所述的集電極開路島是集電極輸出器件所在的隔離島；所述的非集電極開路島是與集電極輸出器件的集電極引出端相鄰的隔離島，非集電極開路島的最外圈設置有P型摻雜；所述集電極開路島和非集電極開路島間設有寬度為16μm～24μm的隔離墻，隔離墻連通設置有接地孔（1）。

2.根據權利要求1所述的集電極開路輸出類電路的版圖結構，其特征在于，所述的隔離墻的寬度為20μm。

3.根據權利要求1所述的集電極開路輸出類電路的版圖結構，其特征在于，所述的接地孔（1）設置在集電極開路島和非集電極開路島連接邊緣的外側。

4.根據權利要求1或2或3所述的集電極開路輸出類電路的版圖結構，其特征在于，所述的集電極開路輸出類電路運作時，在集電極開路島和非集電極開路島之間產生寄生結構電路；寄生結構電路包括PNP三極管（P1），NPN三極管（P2）和等效電阻；

所述的PNP三極管（P1）的發射極為非集電極開路島中的最外圈P型摻雜，接高電位（Vcc），基極為非集電極開路島中的N型外延，集電極為隔離墻；

所述的NPN三極管（P2）的發射極為集電極開路島中的N型外延，基極為隔離墻，集電極為非集電極開路島中的N型外延；

所述的等效電阻包括非集電極開路島偏置N+與非集電極開路島外延島之間的第一等效串聯電阻（Rp1），以及隔離墻到接地孔（1）之間的第二等效串聯電阻（Rp2）。