[實用新型]一種功率半導體器件冷卻裝置

有效

• 申請號: 201320388953.0
• 申請日: 2013-07-02
• 公開（公告）號: CN203386738U
• 公開（公告）日: 2014-01-08
• 發明（設計）人: 楊玉春;谷孝娟;王國強
• 申請（專利權）人: 北京睿德昂林新能源技術有限公司
• 主分類號: H01L23/367
• 分類號: H01L23/367;H01L23/473
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種功率半導體器件冷卻裝置，其特征在于具有：上表面安裝功率半導體器件、下表面設有開口、側壁為環狀的安裝器和緊密安裝于所述安裝器下表面開口下的冷卻介質容器以及安裝于所述安裝器上面和下面的O型圈，所述冷卻介質容器一個側面上設有冷卻介質入口，所述冷卻介質容器上表面至少設有一個開口，所述冷卻介質容器安裝有液位檢測器和至少一個溫度傳感器。

2.根據權利要求1所述的功率半導體器件冷卻裝置，其特征在于：所述安裝器內部上表面設有凸出下表面的柱體。

3.根據權利要求1所述的功率半導體器件冷卻裝置，其特征在于：所述安裝器上表面為開口。

4.根據權利要求3所述的功率半導體器件冷卻裝置，其特征在于：還包括安裝于功率半導體器件和所述安裝器之間的附加基板，所述附加基板下表面設有凸出下表面的柱體。

5.根據權利要求1所述的功率半導體器件冷卻裝置，其特征在于：所述安裝器側面上設有冷卻介質出口。

6.根據權利要求1所述的功率半導體器件冷卻裝置，其特征在于：所述冷卻介質容器側壁上設有一個冷卻介質出口，該出口與入口通過二者中間的立壁分隔，所述冷卻介質容器上表面設有與冷卻介質出口聯通且和安裝器內部聯通的口。

7.根據權利要求1所述的功率半導體器件冷卻裝置，其特征在于：所述冷卻介質容器上表面與冷卻介質入口相連通的口上設有冷卻介質導引嘴，冷卻介質導引嘴高出冷卻介質容器上表面。

8.根據權利要求1或3或4或5或6或7所述的功率半導體器件冷卻裝置，其特征在于：所述冷卻介質容器材料是鋁薄板或塑料。

9.根據權利要求3或4或5或6或7所述的功率半導體器件冷卻裝置，其特征在于：所述冷卻介質容器和所述安裝器的接觸部分以其制造材料連接成為一體。