[實用新型]紅外探測器晶片背減薄拋光裝置有效
| 申請號: | 201320386123.4 | 申請日: | 2013-07-01 |
| 公開(公告)號: | CN203371372U | 公開(公告)日: | 2014-01-01 |
| 發明(設計)人: | 黃江平;袁俊;龔曉霞;郭雨航;蘇玉輝;馮江敏;何雯瑾;莫鏡輝 | 申請(專利權)人: | 昆明物理研究所 |
| 主分類號: | B24B29/02 | 分類號: | B24B29/02 |
| 代理公司: | 昆明今威專利商標代理有限公司 53115 | 代理人: | 賽曉剛 |
| 地址: | 650223 云*** | 國省代碼: | 云南;53 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 紅外探測器 晶片 背減薄 拋光 裝置 | ||
1.紅外探測器晶片背減薄拋光裝置,包括下拋光盤⑺,襯底⑶,玻璃平板⑻,壓重塊⑽,擋圈⑾和連接塊⑿,其特征在于:晶片⑴用光學膠⑵粘接在襯底上,分離隔板⑷用膠粘接在玻璃平板上,分離隔板有若干通孔,襯底未粘接晶片的面穿過分離隔板的通孔靠水吸附在玻璃平板上;拋光模⑸平鋪于下拋光盤上,晶片未粘接的面平放在拋光模上,拋光模上添加磨料。
2.按照權利要求1所述的紅外探測器晶片背減薄拋光裝置,其特征在于:晶片⑴與襯底⑶之間的膠層厚度小于2微米,且膠層均勻。
3.按照權利要求1所述的紅外探測器晶片背減薄拋光裝置,其特征在于:襯底3的材料為玻璃或者白寶石。
4.按照權利要求1所述的紅外探測器晶片背減薄拋光裝置,其特征在于:分離隔板⑷的通孔采用圓孔,圓孔直徑比襯底⑶直徑大0.5~1mm,分離隔板的厚度比襯底厚度小0.2mm以上。
5.按照權利要求1所述的紅外探測器晶片背減薄拋光裝置,其特征在于:分離隔板⑷的通孔采用長方形孔,長方形孔的邊長比襯底邊長大0.5~1mm,分離隔板的厚度比襯底厚度小0.2mm以上。
6.按照權利要求1所述的紅外探測器晶片背減薄拋光裝置,其特征在于:背減薄拋光小面積的碲鎘汞多片晶片時,拋光模⑸采用絲綢拋光布,繃緊在下拋光盤⑺上,并要求下拋光盤⑺平面度小于3微米,將晶片未粘接的面平放在絲綢拋光布上,在玻璃平板⑻上加壓重塊⑽,再套上擋圈⑾,擋圈與擺動軸連接,添加磨料或拋光粉MgO或者SiO2。
7.按照權利要求1所述的紅外探測器晶片背減薄拋光裝置,其特征在于:背減薄拋光大面積的紅外探測器熱釋電晶片時,玻璃襯底⑶未粘接晶片的面穿過分離隔板⑷的通孔靠水吸附在玻璃平板⑻且玻璃平板吸附面的平面度小于3微米;拋光模⑸采用柏油模,平放于下拋光盤⑺上,將晶片⑴未粘接的面平放于柏油模上,在玻璃平板上粘接連接塊⑿,連接塊與擺動軸連接,添加金剛石研磨液。
8.按照權利要求1所述的紅外探測器晶片背減薄拋光裝置,其特征在于:背減薄拋光大面積焦平面InSb晶片時,拋光模⑸采用聚亞胺脂拋光墊,聚亞胺脂拋光墊平鋪于下拋光盤⑺上,添加Al2O3、MgO、SiO2或者金剛石研磨膏。
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