[實用新型]低損耗串聯電容均壓裝置有效

申請號：	201320385561.9	申請日：	2013-07-01
公開（公告）號：	CN203368322U	公開（公告）日：	2013-12-25
發明（設計）人：	杜強;沈煜;張晉茂	申請（專利權）人：	浙江省能源與核技術應用研究院
主分類號：	H02M3/06	分類號：	H02M3/06
代理公司：	杭州九洲專利事務所有限公司 33101	代理人：	韓小燕
地址：	310012 ***	國省代碼：	浙江;33
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摘要：
搜索關鍵詞：	損耗串聯電容裝置
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【權利要求書】：

1.一種低損耗串聯電容均壓裝置，其特征在于：它包括串聯于直流母線正負極之間的電容器組C1和C2，以及分別與電容器組C1和C2并聯的開關管Q1和Q2；所述開關管Q1為N溝道MOS管，其漏極接直流母線的正極，源極電連接有用于限制放電電流的電阻R1，該電阻R1另一端與電容器組C1和C2的串聯中點電連接，柵極與源極之間電連接有電阻R2；所述開關管Q2為P溝道MOS管，其漏極接直流母線的負極，源極與開關管Q1的源極電連接，柵極與漏極之間電連接有電阻R3；所述開關管Q1的柵極與開關管Q2的柵極電連接，且電阻R2和R3的阻值相同。

2.根據權利要求1所述的低損耗串聯電容均壓裝置，其特征在于：所述均壓裝置還包括一雙向電壓控制裝置（1），其一端直接與開關管Q1和Q2的柵極電連接，另一端直接與開關管Q1和Q2的源極電連接，并且其閾值電壓小于開關管Q1和Q2的柵極最高允許電壓。

3.根據權利要求2所述的低損耗串聯電容均壓裝置，其特征在于：所述雙向電壓控制裝置（1）為雙向TVS管。

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