[實(shí)用新型]陣列基板和顯示裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201320384072.1
• 申請日: 2013-06-28
• 公開（公告）號: CN203337971U
• 公開（公告）日: 2013-12-11
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 成軍;陳海晶;姜春生
• 申請（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號: G02F1/1368
• 分類號: G02F1/1368
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112
• 代理人: 柴亮;張?zhí)焓?/td>

1.一種陣列基板，包括多個像素單元，每個像素單元包括薄膜晶體管區(qū)和顯示區(qū)，所述薄膜晶體管區(qū)設(shè)有薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括：柵極、柵極絕緣層、有源區(qū)，其特征在于，

所述薄膜晶體管區(qū)和顯示區(qū)還包括透明導(dǎo)電層，所述透明導(dǎo)電層在薄膜晶體管區(qū)構(gòu)成薄膜晶體管的源極和漏極，在顯示區(qū)構(gòu)成像素電極。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，還包括：位于所述源極上的源過渡層和位于所述源過渡層上的源連接層。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述源極、源過渡層、源連接層圖案相同。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述源過渡層的材料為重?fù)诫s的非晶硅；所述源連接層為鉬、鉬鈮合金、鋁、鋁釹合金、鈦、銅中的一種或多種材料形成的單層或多層復(fù)合疊層。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，還包括鈍化層，所述鈍化層覆蓋所述薄膜晶體管區(qū)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述有源區(qū)的材料為金屬氧化物半導(dǎo)體。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，還包括設(shè)于所述有源區(qū)上的刻蝕阻擋區(qū)。

8.一種顯示裝置，其特征在于，包括權(quán)利要求1～7中任意一項的陣列基板。