[實(shí)用新型]一種高效紫外GaN基發(fā)光二極管有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201320382705.5 | 申請(qǐng)日： | 2013-07-01 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN203481263U | 公開（公告）日： | 2014-03-12 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 李為軍;蔣毅平;馮雷;李江山;陳超中 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 上海時(shí)代之光照明電器檢測(cè)有限公司;國家燈具質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)中心;國家電光源質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)中心（上海） |
| 主分類號(hào)： | H01L33/06 | 分類號(hào)： | H01L33/06;H01L33/32 |
| 代理公司： | 上海世貿(mào)專利代理有限責(zé)任公司 31128 | 代理人： | 葉克英 |
| 地址： | 200233 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 高效 紫外 gan 發(fā)光二極管 | ||
1.一種高效紫外GaN基發(fā)光二極管，所述的發(fā)光二極管其外延結(jié)構(gòu)由下而上依次為襯底、緩沖層、N型摻雜層、量子阱InGaN-InGaN/GaN有源層、P型摻雜層，電極分別制作在N?型摻雜層和P?型摻雜層上，其特征在于：所述量子阱InGaN-InGaN/GaN有源層包括GaN壘層和InyGa1-yN-InxGa1-xN阱層，其中0<y<1，0<x<1,?y?>?x。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高效紫外GaN基發(fā)光二極管，其特征在于：InyGa1-yN-InxGa1-xN阱層包括先生長的InyGa1-yN量子阱層和后生長的InxGa1-xN量子阱層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種高效紫外GaN基發(fā)光二極管，其特征在于：總的InyGa1-yN-InxGa1-xN阱層寬度為2.8~3.2?nm?，InyGa1-yN量子阱層寬度為0.75—2.25?nm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種高效紫外GaN基發(fā)光二極管，其特征在于：所述InyGa1-yN-InxGa1-xN阱層為單層或多層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種高效紫外GaN基發(fā)光二極管，其特征在于：所述襯底材料是藍(lán)寶石、硅或碳化硅。
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