[實(shí)用新型]一種同步整流管驅(qū)動(dòng)裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201320380352.5
• 申請(qǐng)日: 2013-06-29
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN203326865U
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-12-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張宏志;謝勇先
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 深圳市頂點(diǎn)照明設(shè)備有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H02M1/08
• 分類(lèi)號(hào): H02M1/08;H02M7/217
• 代理公司: 廣東星辰律師事務(wù)所 44263
• 代理人: 陳良

1.一種同步整流管驅(qū)動(dòng)裝置，用于產(chǎn)生同步整流MOSFET的驅(qū)動(dòng)信號(hào)，其特征在于，包括：

電壓采集電路，其分別與所述同步整流MOSFET的漏極、源極連接，用于獲取所述同步整流MOSFET的漏極、源極電壓；

比較電路，與所述電壓采集電路連接，用于比較所述同步整流MOSFET漏極和源極的電壓大小；

供電電路，分別與所述同步整流MOSFET的漏極、比較電路以及驅(qū)動(dòng)電路連接，當(dāng)同步整流MOSFET的漏極電壓為正、源極電壓為負(fù)時(shí)儲(chǔ)存電能，當(dāng)同步整流MOSFET的漏極電壓為負(fù)、源極電壓為正時(shí)以?xún)?chǔ)存的電能為比較電路和驅(qū)動(dòng)電路供電；

驅(qū)動(dòng)電路，分別與所述比較電路和同步整流MOSFET的柵極連接，用以根據(jù)所述比較電路的比較結(jié)果生成驅(qū)動(dòng)信號(hào)并輸出至所述同步整流MOSFET的柵極。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的同步整流管驅(qū)動(dòng)裝置，其特征在于，所述的比較電路包括比較器，所述同步整流MOSFET的漏極、源極電壓分別與比較器的反向輸入端和同向輸入端連接，所述比較器的輸出端與驅(qū)動(dòng)電路連接，所述比較器的電源端與供電電路連接，所述比較器的接地端與同步整流MOSFET的源極連接。

3．根據(jù)權(quán)利要求2所述的同步整流管驅(qū)動(dòng)裝置，其特征在于，所述供電電路包括第一二極管、電容，所述第一二極管的陽(yáng)極與所述同步整流MOSFET的漏極連接，所述第一二極管的陰極通過(guò)電容與所述同步整流MOSFET的源極連接，所述比較器的電源端連接于第一二極管和電容之間，所述驅(qū)動(dòng)電路連接于所述第一二極管和電容之間。

4．根據(jù)權(quán)利要求3所述的同步整流管驅(qū)動(dòng)裝置，其特征在于，所述供電電路還包括第一電阻和穩(wěn)壓二極管，所述第一電阻連接于第一二極管和電容之間，所述穩(wěn)壓二極管的陰極連接于所述第一電阻和電容之間，所述穩(wěn)壓二極管的陽(yáng)極連接于電容和同步整流MOSFET的源極之間，所述比較器的電源端和驅(qū)動(dòng)電路均連接于第一電阻和電容之間。

5．根據(jù)權(quán)利要求4所述的同步整流管驅(qū)動(dòng)裝置，其特征在于，所述供電電路還包括恒流源和三級(jí)管，所述恒流源連接于所述第一二極管和第一電阻之間，所述三極管的基極連接于第一電阻和電容之間，所述三極管的集電極連接于所述第一二極管和恒流源之間，所述三級(jí)管的發(fā)射極分別與所述比較器的電源端和驅(qū)動(dòng)電路連接，所述穩(wěn)壓二極管的陰極與三極管的基極連接。

6．根據(jù)權(quán)利要求3至5任一項(xiàng)所述的同步整流管驅(qū)動(dòng)裝置，其特征在于，所述電壓采集電路包括第二電阻、第三電阻以及第二二級(jí)管，所述第二電阻連接于同步整流MOSFET的漏極與比較器的反向輸入端之間，所述第三電阻連接于同步整流MOSFET的源極與比較器的同向輸入端之間，所述第二二極管的陽(yáng)極連接于第二電阻和比較器的反向輸入端之間，所述第二二極管的陰極連接于第三電阻和比較器的同向輸入端之間。

7．根據(jù)權(quán)利要求3至5任一項(xiàng)所述的同步整流管驅(qū)動(dòng)裝置，其特征在于，所述電壓采集電路包括第四電阻及導(dǎo)線，所述第四電阻連接于所述同步整流MOSFET的漏極和第一二極管之間，所述導(dǎo)線連接于所述比較器的同向輸入端和同步整流MOSFET的源極之間，所述比較器的反向輸入端連接于第四電阻和第一二極管之間。