[實(shí)用新型]一種氮化鎵基發(fā)光二極管有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201320377482.3 | 申請日： | 2013-06-27 |
| 公開（公告）號： | CN203536463U | 公開（公告）日： | 2014-04-09 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 張雄;楊洪權(quán);許潔;崔一平 | 申請（專利權(quán)）人： | 東南大學(xué) |
| 主分類號： | H01L33/14 | 分類號： | H01L33/14 |
| 代理公司： | 南京瑞弘專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 32249 | 代理人： | 楊曉玲 |
| 地址： | 211189 江*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 氮化 發(fā)光二極管 | ||
1.一種氮化鎵基發(fā)光二極管，其特征在于：該氮化鎵基發(fā)光二極管的外延層結(jié)構(gòu)由下至上依次為：藍(lán)寶石襯底（101）、氮化鎵緩沖層（102）、非故意摻雜氮化鎵層（103）、硅摻雜的n型氮化鎵層（104）、復(fù)合電流擴(kuò)散層（106）、銦鎵氮-氮化鎵多量子阱有源發(fā)光層（107）、鎂摻雜的p型鋁鎵氮電子阻擋層（108）、鎂摻雜的p型氮化鎵歐姆接觸層（109）和透明導(dǎo)電層（110）；所述復(fù)合電流擴(kuò)散層（106）由硅摻雜的n型銦鎵氮子層和氮化鎵子層組成；所述n型氮化鎵層（104）為一階臺階結(jié)構(gòu)，其高層臺階面與復(fù)合電流擴(kuò)散層（106）接觸、低層臺階面上設(shè)置有n型電極（105），所述透明導(dǎo)電層（110）上設(shè)置有p型電極（111）。?
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氮化鎵基發(fā)光二極管，其特征在于：所述氮化鎵緩沖層（102）的厚度為20～30nm，所述非故意摻雜氮化鎵層（103）的厚度為1.0～3.0μm，所述n型氮化鎵層（104）的厚度為2.0～3.0μm，所述復(fù)合電流擴(kuò)散層（106）的厚度為100～250nm，所述銦鎵氮-氮化鎵多量子阱有源發(fā)光層（107）的周期數(shù)為5～15個(gè)周期，所述p型鋁鎵氮電子阻擋層（108）的厚度為15～30nm，所述p型氮化鎵歐姆接觸層（109）的厚度為150～300nm。?
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氮化鎵基發(fā)光二極管，其特征在于：所述復(fù)合電流擴(kuò)散層（106）中，硅摻雜的n型銦鎵氮子層的厚度和氮化鎵子層的厚度均為70nm。?
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