[實(shí)用新型]壓力傳感器調(diào)試及溫度補(bǔ)償電路有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201320373619.8 | 申請日: | 2013-06-27 |
| 公開(公告)號(hào): | CN203337317U | 公開(公告)日: | 2013-12-11 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 陳玉玲;趙爽;李俊;李國珍;竇海峰;邰愛民;史巖峰 | 申請(專利權(quán))人: | 北京強(qiáng)度環(huán)境研究所;中國運(yùn)載火箭技術(shù)研究院 |
| 主分類號(hào): | G01L25/00 | 分類號(hào): | G01L25/00;G01L27/00;G01L19/04 |
| 代理公司: | 核工業(yè)專利中心 11007 | 代理人: | 高尚梅 |
| 地址: | 100076 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 壓力傳感器 調(diào)試 溫度 補(bǔ)償 電路 | ||
1.一種壓力傳感器調(diào)試及溫度補(bǔ)償電路,它包括電壓基準(zhǔn)源I(1)和電壓基準(zhǔn)源II(2),所述的電壓基準(zhǔn)源I(1)和電壓基準(zhǔn)源II(2)的輸入口分別與供電電源U0連接,接地端均與信號(hào)地G連接;其特征在于:還包括信號(hào)調(diào)理芯片(3),所述的信號(hào)調(diào)理芯片(3)為MAX1452;?
所述的信號(hào)調(diào)理芯片(3)的供電端口VDD、內(nèi)部寄存器供電端口VDDF分別與電壓基準(zhǔn)源I1和電壓基準(zhǔn)源II2的輸出口連接;?
所述的信號(hào)調(diào)理芯片(3)的電橋驅(qū)動(dòng)端BDR與傳感器敏感電橋(4)的供電端連接;?
所述的信號(hào)調(diào)理芯片(3)的電橋正輸入端INP與傳感器敏感電橋(4)的正輸出端連接;?
所述的信號(hào)調(diào)理芯片(3)的電橋負(fù)輸入端INM與傳感器敏感電橋的負(fù)輸出端連接;?
所述的信號(hào)調(diào)理芯片(3)的輸出端OUT與輸出電阻R1的一端連接,R1的另一端連接供電電源U0,并且R1的另一端和信號(hào)地G之間并聯(lián)電容C3。?
2.如權(quán)利要求1所述的壓力傳感器調(diào)試及溫度補(bǔ)償電路,其特征在于:所述的信號(hào)調(diào)理芯片(3)的電橋驅(qū)動(dòng)端BDR與供電模式設(shè)定端口ISRC為短路連接。?
3.如權(quán)利要求1或2所述的壓力傳感器調(diào)試及溫度補(bǔ)償電路,其特征在于:所述的信號(hào)調(diào)理芯片(3)的VSS端口接地,測試端口TEST接地。?
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