[實用新型]一種MOS超勢壘整流器件

有效

• 申請號: 201320371930.9
• 申請日: 2013-06-26
• 公開（公告）號: CN203312301U
• 公開（公告）日: 2013-11-27
• 發明（設計）人: 殷允超;丁磊
• 申請（專利權）人: 張家港凱思半導體有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L21/336
• 代理公司: 張家港市高松專利事務所(普通合伙) 32209
• 代理人: 孫高

1.一種MOS超勢壘整流器件，在整流器件的截面上包括一半導體基板，該半導體基板的下部為重摻雜的第一導電類型襯底，半導體基板的上部為輕摻雜的第一導電類型漂移區，所述半導體基板的上表面定義為第一表面，半導體基板的下表面定義為第二表面，所述半導體基板的第一表面邊緣覆蓋有第一絕緣氧化層；第一絕緣氧化層圍成有源區；該有源區內設有若干個溝槽，該溝槽由第一表面延伸進入第一導電類型漂移區；所述第一導電類型漂移區在溝槽的側溝沿處設有第一導電類型注入區，所述第一導電類型漂移區上部設有與溝槽數量對應且相互獨立的第二導電類型注入區，每個第二導電類型注入區包裹一個溝槽以及對應的第一導電類型注入區；在有源區內處于溝槽之間的所述第一表面上覆蓋有第二絕緣氧化層，第二絕緣氧化層上覆蓋有第一電極，所述第一電極上面覆蓋有第三絕緣氧化層；所述半導體基板第一表面上及溝槽內設置有第一金屬，第一金屬與第一電極、第一導電類型注入區、第二導電類型注入區歐姆接觸；所述半導體第二表面上設置有與第二表面歐姆接觸的第二金屬。

2.如權利要求1所述的一種MOS超勢壘整流器件，其特征在于：所述MOS超勢壘整流器的MOS單元由所述第一導電類型注入區作為源極/漏極，第二導電類型注入區靠近第一表面區域形成溝道區、第一導電類型漂移區作為漏極/源極、第二絕緣氧化層作為柵氧化層、第一電極作為柵極。

3.如權利要求2所述的一種MOS超勢壘整流器件，其特征在于：所述第一電極為導電多晶硅層。

4.如權利要求3所述的一種MOS超勢壘整流器件，其特征在于：所述第一金屬設有陽極端，所述第二金屬設有陰極端。