[實(shí)用新型]一種可控硅調(diào)光LED驅(qū)動(dòng)電路有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201320369790.1 | 申請(qǐng)日: | 2013-06-26 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN203313500U | 公開(kāi)(公告)日: | 2013-11-27 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 孫順根;于得水;胡黎強(qiáng) | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 上海晶豐明源半導(dǎo)體有限公司 |
| 主分類號(hào): | H05B37/02 | 分類號(hào): | H05B37/02 |
| 代理公司: | 北京連和連知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11278 | 代理人: | 王光輝 |
| 地址: | 201204 上海*** | 國(guó)省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 可控硅 調(diào)光 led 驅(qū)動(dòng) 電路 | ||
1.一種可控硅調(diào)光LED驅(qū)動(dòng)電路,包括:一交流電源及與所述交流電源連接的整流橋,一LED負(fù)載,所述LED負(fù)載與一電感或變壓器、一功率開(kāi)關(guān)MOS晶體管、一低壓開(kāi)關(guān)MOS晶體管和一采樣電阻連接,其特征在于,所述LED驅(qū)動(dòng)電路還包括:
???一峰值電流比較器,用于比較所述采樣電阻與一參考電壓的幅值;
???一最大開(kāi)通時(shí)間計(jì)時(shí)器,用于檢測(cè)所述低壓開(kāi)關(guān)MOS晶體管的開(kāi)通時(shí)間;
當(dāng)所述采樣電阻的電壓信號(hào)高于所述參考電壓信號(hào)時(shí)或所述低壓開(kāi)關(guān)MOS晶體管的開(kāi)通時(shí)間達(dá)到所述最大開(kāi)通時(shí)間計(jì)時(shí)器設(shè)定時(shí)間時(shí),關(guān)閉所述低壓開(kāi)關(guān)MOS晶體管。
2.如權(quán)利要求1所述的可控硅調(diào)光LED驅(qū)動(dòng)電路,其特征在于,所述峰值電流比較器的一個(gè)輸入端連接所述采樣電阻,另一輸入端連接所述參考電壓。
3.如權(quán)利要求1所述的可控硅調(diào)光LED驅(qū)動(dòng)電路,其特征在于,所述LED驅(qū)動(dòng)電路還包括一與邏輯門(mén),一RS觸發(fā)器,所述最大開(kāi)通時(shí)間計(jì)時(shí)器的輸入信號(hào)為所述RS觸發(fā)器輸出信號(hào),所述與邏輯門(mén)輸入信號(hào)為所述最大開(kāi)通時(shí)間計(jì)時(shí)器輸出信號(hào)和所述峰值電流比較器輸出信號(hào),所述與邏輯門(mén)輸出信號(hào)連接所述RS觸發(fā)器復(fù)位端。
4.如權(quán)利要求3所述的可控硅調(diào)光LED驅(qū)動(dòng)電路,其特征在于,所述LED驅(qū)動(dòng)電路還包括第一電壓采樣網(wǎng)絡(luò)、第二電壓采樣網(wǎng)絡(luò)和一退磁比較器,所述第一電壓采樣網(wǎng)絡(luò)的輸入端連接于所述功率開(kāi)關(guān)MOS晶體管的門(mén)級(jí),所述第二電壓采樣網(wǎng)絡(luò)的輸入端連接于所述功率開(kāi)關(guān)MOS晶體管的源級(jí),所述第一、第二電壓采樣網(wǎng)絡(luò)的輸出端連接所述退磁比較器的輸入端,所述退磁比較器的輸出端連接所述RS觸發(fā)器的置位端。
5.如權(quán)利要求4所述的可控硅調(diào)光LED驅(qū)動(dòng)電路,其特征在于,所述第一電壓采樣網(wǎng)絡(luò)由電阻或電容組成,所述第二電壓采樣網(wǎng)絡(luò)由電阻或電容組成。
6.如權(quán)利要求3所述的可控硅調(diào)光LED驅(qū)動(dòng)電路,其特征在于,所述LED驅(qū)動(dòng)電路還包括一開(kāi)關(guān)驅(qū)動(dòng)電路,所述開(kāi)關(guān)驅(qū)動(dòng)電路的輸入端連接所述RS觸發(fā)器的輸出端,所述開(kāi)關(guān)驅(qū)動(dòng)電路的輸出端連接所述低壓開(kāi)關(guān)MOS晶體管的門(mén)級(jí)。
7.如權(quán)利要求1所述的可控硅調(diào)光LED驅(qū)動(dòng)電路,其特征在于,所述電感或變壓器包含至少兩個(gè)繞組,所述第一繞組連接所述功率開(kāi)關(guān)MOS晶體管,所述第二繞組連接一供電二極管的正端,所述供電二極管的負(fù)端連接一供電電容。
8.如權(quán)利要求7所述的可控硅調(diào)光LED驅(qū)動(dòng)電路,其特征在于,所述LED驅(qū)動(dòng)電路還包括兩個(gè)分壓電阻和一過(guò)壓保護(hù)邏輯電路,所述兩個(gè)分壓電阻串聯(lián)后連接于所述變壓器或電感的第二繞組兩端,所述兩個(gè)分壓電阻的連接點(diǎn)連接所述過(guò)壓保護(hù)邏輯電路。
9.如權(quán)利要求7所述的可控硅調(diào)光LED驅(qū)動(dòng)電路,其特征在于,所述供電電容兩端并聯(lián)一穩(wěn)壓二極管。
10.如權(quán)利要求1所述的可控硅調(diào)光LED驅(qū)動(dòng)電路,其特征在于,所述驅(qū)動(dòng)電路為升降壓型的可控硅調(diào)光LED驅(qū)動(dòng)電路,或降壓型的可控硅調(diào)光LED驅(qū)動(dòng)電路,或反激型的可控硅調(diào)光LED驅(qū)動(dòng)電路。
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