[實(shí)用新型]一種薄膜硅、晶體硅異質(zhì)結(jié)雙面太陽(yáng)能電池

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201320368509.2
• 申請(qǐng)日: 2013-06-25
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN203351632U
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-12-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳五奎;劉強(qiáng);李粉莉;盛國(guó)浩
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 深圳市拓日新能源科技股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L31/077
• 分類號(hào): H01L31/077;H01L31/0352;H01L31/02
• 代理公司: 深圳中一專利商標(biāo)事務(wù)所 44237
• 代理人: 張全文

1.一種薄膜硅、晶體硅異質(zhì)結(jié)雙面太陽(yáng)能電池，其特征在于，包括由上到下依次層疊的受光面電極、受光面透明導(dǎo)電層、P型非晶硅層、受光面本征非晶硅層、N型晶體硅層、背光面本征非晶硅層、N型重?fù)诫s非晶硅層、背光面透明導(dǎo)電層、背光面電極，所述P型非晶硅層、所述受光面本征非晶硅層與所述N型晶體硅層形成太陽(yáng)能電池器件的正面異質(zhì)PN結(jié)，所述N型晶體硅層、所述背光面本征非晶硅層與所述N型重?fù)诫s非晶硅層形成太陽(yáng)能電池器件的背面電場(chǎng)層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種薄膜硅、晶體硅異質(zhì)結(jié)雙面太陽(yáng)能電池，其特征在于，所述受光面透明導(dǎo)電層的厚度為1～50nm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種薄膜硅、晶體硅異質(zhì)結(jié)雙面太陽(yáng)能電池，其特征在于，所述P型非晶硅層的厚度為1～50nm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種薄膜硅、晶體硅異質(zhì)結(jié)雙面太陽(yáng)能電池，其特征在于，所述受光面本征非晶硅層的厚度為1～30nm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種薄膜硅、晶體硅異質(zhì)結(jié)雙面太陽(yáng)能電池，其特征在于，所述N型晶體硅層的厚度為1～300μm。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種薄膜硅、晶體硅異質(zhì)結(jié)雙面太陽(yáng)能電池，其特征在于，所述背光面本征非晶硅層的厚度為1～30nm。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種薄膜硅、晶體硅異質(zhì)結(jié)雙面太陽(yáng)能電池，其特征在于，所述N型重?fù)诫s非晶硅層的厚度為1～50nm。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種薄膜硅、晶體硅異質(zhì)結(jié)雙面太陽(yáng)能電池，其特征在于，所述背光面透明導(dǎo)電層的厚度為1～50nm。