[實用新型]一種陣列基板及顯示裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201320364234.5 | 申請日: | 2013-06-24 |
| 公開(公告)號: | CN203299499U | 公開(公告)日: | 2013-11-20 |
| 發(fā)明(設計)人: | 牛菁 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | G02F1/1343 | 分類號: | G02F1/1343;H01L23/50 |
| 代理公司: | 北京同達信恒知識產(chǎn)權代理有限公司 11291 | 代理人: | 黃志華 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 陣列 顯示裝置 | ||
技術領域
本實用新型涉及顯示技術領域,尤其涉及一種陣列基板及顯示裝置。
背景技術
液晶顯示面板主要由陣列基板,對向基板,以及位于該兩基板之間的液晶分子組成;其中,陣列基板上設置有呈矩陣排列的亞像素單元,每個亞像素單元都設置有薄膜晶體管(TFT)以及與薄膜晶體管相連的像素電極,對向基板上設置有公共電極和與各亞像素單元一一對應的彩色濾光片。液晶顯示面板在對盒時需要將對向基板上的各彩色濾光片與陣列基板上的各亞像素單元進行對位,在對位時容易出現(xiàn)對位誤差,為了避免對位誤差的產(chǎn)生,出現(xiàn)了將彩色濾光片直接設置在陣列基板上的結構(COA,CF?on?Array)。
目前,現(xiàn)有的COA結構大多是將彩色濾光片直接簡單的疊加在陣列基板上,以高級超維場開關(ADS,Advanced?Super?Dimension?Switch)模式的COA結構為例,如圖1所示,其陣列基板上的結構包括:依次設置在襯底基板101上的柵極102和公共電極線103,柵絕緣層104,有源層105,源極106和漏極107,第一絕緣層108,黑矩陣109,彩色濾光片110,像素電極111,第二絕緣層112,以及公共電極113。其中,公共電極113通過貫穿柵極絕緣層104、第一絕緣層108、彩色濾光片110以及第二絕緣層112的過孔a與公共電極線103電性相連。
上述結構的陣列基板在制備時需要使用10道掩膜板(Mask)進行構圖,需要使用Mask進行構圖的步驟具體為:制備柵極102和公共電極線103的圖形,有源層105、源極106和漏極107的圖形,柵極絕緣層104和第一絕緣層108的圖形,黑矩陣109的圖形,彩色濾光片110的圖形,像素電極111的圖形,第二絕緣層112的圖形,公共電極113的圖形,其中,由于彩色濾光片110一般是由三原色(紅,綠,藍)交叉排列的單色濾光片組成的,因此需要分別使用3道Mask構圖進行構圖。
在上述結構中,不透光的公共電極線103與柵極102同層設置,一方面會占用各亞像素單元的開口區(qū)域,影響了開口率,另一方面,公共電極113需要通過較深的過孔a與公共電極線103電性相連,由于該過孔a貫穿的柵極絕緣層104、第一絕緣層108、彩色濾光片110以及第二絕緣層112的材料不盡相同,在制備過程需要多次構圖才能形成,這也增加了整體制備工藝的難度。
綜上所述,現(xiàn)有COA結構的ADS模式陣列基板存在制備工藝難度較大,開口率較低的問題。
實用新型內(nèi)容
本實用新型實施例提供一種陣列基板及顯示裝置,可以提高COA結構的開口率且可以降低制備難度。
本實用新型實施例提供了一種陣列基板,包括襯底基板,位于所述襯底基板上的薄膜晶體管薄膜晶體管,以及位于所述薄膜晶體管上的電極結構,所述電極結構包括相互絕緣的像素電極和公共電極,還包括:
位于所述薄膜晶體管上方且在所述襯底基板上的正投影覆蓋所述薄膜晶體管的黑矩陣;
所述黑矩陣與所述公共電極電性相連,用于向所述公共電極提供公共電極信號。
本實用新型實施例提供的一種顯示裝置,包括本實用新型實施例提供的上述陣列基板。
本實用新型實施例的有益效果包括:
本實用新型實施例提供的一種陣列基板及顯示裝置,該陣列基板包括位于襯底基板上的薄膜晶體管薄膜晶體管,以及位于薄膜晶體管上的電極結構,電極結構包括相互絕緣的像素電極和公共電極,還包括:位于薄膜晶體管上方且在襯底基板上的正投影覆蓋薄膜晶體管的黑矩陣;黑矩陣與公共電極電性相連,用于向公共電極提供公共電極信號。由于采用黑矩陣復用公共電極線的功能,與公共電極電性相連向其提供公共電極信號,相對于現(xiàn)有技術中單獨設置與柵極同層的公共電極線,可以減少各亞像素單元開口區(qū)域的占用,提高陣列基板的開口率。并且,由于將作為公共電極線的黑矩陣設置在薄膜晶體管的上方,還可以減少黑矩陣與公共電極連接時所需過孔所貫穿的膜層,也降低了制備工藝的難度。
附圖說明
圖1為現(xiàn)有COA結構的ADS模式陣列基板的結構示意圖;
圖2a至圖2c分別為本實用新型實施例提供的陣列基板的結構示意意圖;
圖3為本實用新型實施例提供的陣列基板的制備方法的流程圖;
圖4a至圖4f為本實用新型實施例提供的制備方法中通過一次構圖工藝形成公共電極和黑矩陣的圖形的各步驟的結構示意圖。
具體實施方式
下面結合附圖,對本實用新型實施例提供的陣列基板及顯示裝置的具體實施方式進行詳細地說明。
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G02F 用于控制光的強度、顏色、相位、偏振或方向的器件或裝置,例如轉換、選通、調(diào)制或解調(diào),上述器件或裝置的光學操作是通過改變器件或裝置的介質(zhì)的光學性質(zhì)來修改的;用于上述操作的技術或工藝;變頻;非線性光學;光學
G02F1-00 控制來自獨立光源的光的強度、顏色、相位、偏振或方向的器件或裝置,例如,轉換、選通或調(diào)制;非線性光學
G02F1-01 .對強度、相位、偏振或顏色的控制
G02F1-29 .用于光束的位置或方向的控制,即偏轉
G02F1-35 .非線性光學
G02F1-355 ..以所用材料為特征的
G02F1-365 ..在光波導結構中的





