[實用新型]一種發光二極管外延片有效
| 申請號： | 201320358814.3 | 申請日： | 2013-06-21 |
| 公開（公告）號： | CN203406315U | 公開（公告）日： | 2014-01-22 |
| 發明（設計）人： | 牛志宇 | 申請（專利權）人： | 東莞市德穎光電有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/02 | 分類號： | H01L33/02;H01L33/14 |
| 代理公司： | 東莞市華南專利商標事務所有限公司 44215 | 代理人： | 馬騰飛 |
| 地址： | 523330 廣*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 發光二極管 外延 | ||
【權利要求書】：
1.一種發光二極管外延片，其結構包括Si襯底層、氮化鎵基緩沖層、非摻雜氮化鎵層、n型氮化鎵基層、多量子阱層、p型鋁鎵氮層、p型氮化鎵層和接觸層，其特征在于：還包括生長在所述Si襯底層上的Al2O3保護層；所述接觸層包括低In組分的低摻雜n型In0.05Ga0.95N層和高In組分的高摻雜n型In0.1Ga0.9N層。
2.根據權利要求1所述的發光二極管外延片，其特征在于：所述Al2O3保護層的厚度為3-5nm。
3.根據權利要求1所述的發光二極管外延片，其特征在于：所述氮化鎵基緩沖層的厚度為20nm。
4.根據權利要求1所述的發光二極管外延片，其特征在于：所述低In組分低摻雜n型In0.05Ga0.95N層的厚度為2nm，所述高In組分高摻雜n型In0.1Ga0.9N層的厚度為2nm。
5.根據權利要求1所述的發光二極管外延片，其特征在于：所述p型氮化鎵層的厚度為150nm。
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于東莞市德穎光電有限公司，未經東莞市德穎光電有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201320358814.3/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
